首先,℃P刻蝕的深槽是為了絕緣,即高壓LED深槽刻蝕的作用是將外延層中的n型層隔開,K4M56163PI-BG75512m形成多個相互隔離的小發(fā)光單元。即ICP刻蝕的深度需到達藍寶石(sapphirc)襯底,而刻蝕深度依不同的外延片結構而定,一般為4~5um。對于PSS結構的外延片,刻蝕深度在5~7um。在對外延片的各層結構的詳細參數(shù)未知或并不準確的情況下,除了對ICP設備進行適當?shù)膮?shù)設置外,要結合顯微鏡觀察和探針測試,來準確確定刻蝕是否到達襯底,是否起到完全絕緣的作用。

   其次,深槽側壁的形貌關系到后道工藝的順利進行和器件的光電特性。一般有3種不同形式的側壁,即垂直型、斜面型和階梯型。分析表明,垂直型的側壁不利于電極材料的生長,通過濺射或蒸發(fā)方法在側壁上淀積的金屬材料相對于平面結構會比較薄,而斜面型的側壁上金屬的覆蓋率會提高很多。另外,臺階型的側壁需要兩塊掩膜板,成本增加,彐.在臺階間的轉角處金屬附著也并不理想。因此,一般深槽側壁形貌設計成斜面型。在其他℃P參數(shù)設置不變的情況下,改變RF功率可以影響側壁傾斜度,隨著V功率的減小,側壁的斜度也逐漸減小Dq。