Tio2/S⒑2DBR膜系還能被用作具有反射B2B-PH-K-S作用的電流阻擋層,用以提高光提取效率(在,1小結(jié)己經(jīng)提到過);還能與Ag、Al等高反射金屬結(jié)合組成復(fù)合反射鏡。如Nall~Ming Ⅱn等阝l]模擬和制備了具有Sio2/Tio2DBR+Ag鏡背鍍層的GaN基LED。垂直入射的情況下,3對SiO2/Ti02DBR+Ag鏡背鍍層可以將反射率為96%Ag膜提高到99.l%。而且,復(fù)合背鍍層的反射率受入射波長和入射角度的影響很小。350mA下,1r111n×lmm尺寸芯片,沒有反射鏡LED、Al反射鏡LED、川+3DBR反射鏡LED、Ag反射鏡、Ag+3DBR反射鏡DBR的光功率分別為122mW、138mW、153mW、162mW。

   上述實(shí)例均是在芯片制造端的DBR制作,但是GaN基LED在外延上也有類似A⒗aInP四元系紅黃光LED一樣的DBR膜系。如出現(xiàn)過的DBR結(jié)構(gòu)有:①GaN/AlN DBR和S⒑2/Tio2DBR膜系共同組成G瘀基諧振腔LEDls’l;②A⒑aN/AlGaN DBR結(jié)構(gòu)紫外高反射鏡LEDu];③AlInN/GaN DBR器件㈣。但是在GaN基LEp產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中,權(quán)衡其成本、產(chǎn)量和得到的性能后很少在實(shí)際生產(chǎn)中在外延層中生長半導(dǎo)體DBR結(jié)構(gòu),并且因?yàn)?/span>⒍Ⅸ常用的藍(lán)寶石襯底在藍(lán)光波段是透明的特性,一般采用在藍(lán)寶石襯底背面做DBR結(jié)構(gòu),良率、產(chǎn)能、成本、對光提取效率的效果等可能被平衡到最佳值。