在介質(zhì)DBR材料當(dāng)中,△02/S⒑2DBR膜系因?yàn)槠湔凵渎什町愝^大(sio2折射率約為1,46,Tio2折射率約為2.5)而B12P-SHF-1AA常被用作G淵基LED背鍍反射層膜系。H,W Huang等人制備了具有p-⒍Ⅸ表面粗化和芯片下表面△α/S⒑2DBR結(jié)構(gòu)增強(qiáng)光提取的G燜基功率型芯片。DBR的設(shè)計(jì)和LED出光都是在笱細(xì)m波段下設(shè)計(jì)的[如圖5-47(a)所示]。3501nA下,lmm×1mm尺寸芯片在To-can的封裝形式下具有背鍍DBR和表面粗化結(jié)構(gòu)的LED比沒有粗化和背鍍DBR結(jié)構(gòu)的LED亮度高67%[如圖5-鋝(b)所示]。而且,通過輻射場(chǎng)型測(cè)試[如圖5-狎(c)所示]發(fā)現(xiàn),具有DBR和表面粗化結(jié)構(gòu)的LED垂直方向上的光顯著增強(qiáng)。

   圖5-鉀 (a)以為弱5nm中心波長(zhǎng)的TlO2/sio2DBR的透射光譜;

   (b)有背鍍DBR和表面粗化結(jié)構(gòu)的LED和沒有背鍍DBR和表面粗化結(jié)構(gòu)的LED的zi J曲線;(c)有背鍍DBR和表面粗化結(jié)構(gòu)的LED和沒有背鍍DBR和表面粗化結(jié)構(gòu)的LED的輻射場(chǎng)型△02/sio2DBR膜系也被用來制作倒裝芯片的反射層,甚至被用來制作具有DBR結(jié)構(gòu)的MESA側(cè)邊,用于進(jìn)一步提高光提取效率。KH,Baik報(bào)道lsOl了用Tio2/s⒑2DBR結(jié)構(gòu)覆蓋MESA側(cè)邊的GaN基倒裝芯片,翎Onm下,5對(duì)△α/Si02DBR在垂直方向上反射率為99.1%,且反射率在其他角度下也表現(xiàn)優(yōu)秀。與對(duì)照組LED相比,用DBR覆蓋MEsA側(cè)壁的LED在封裝前、后亮度分別高32%和12%。亮度的提升是因?yàn)閭?cè)壁DBR起到側(cè)向光波導(dǎo)的作用,使得光最終從藍(lán)寶石中出射。