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粗化少GaN表面的sEM圖像

發(fā)布時間:2016/8/10 21:06:43 訪問次數(shù):771

   I.s曲nitzcr等人提出用自然光刻法,采用旋轉鍍膜的方法將直徑300nm的聚苯乙烯球鍍在LED表面, JST5N60F這些小球遮擋住部分表面,然后用等離子刻蝕的方法將未遮擋的表面部分刻蝕至170nm深度,形成了粗糙的LED表面。R。WiIldisch報道了經(jīng)過表面粗糙處理后的GaAs基倒裝結構發(fā)光二極管的外量子效率達到笱%P剔。國內(nèi)也有人研究過在A1GaInP紅光系LED上表面制備一層介質(zhì)層,其材料折射率處于空氣與半導體材料的折射率之間,增大了出光的角度,使得光提取效率增加了35%以上卩劍。

   Hyung-Joo Lcc等人習研究了表面粗化的p型GaN層對630nm AlGaInP LED出光效率的影響,結果表明出光效率和生長在GaP表面粗化的p型GaN表面形態(tài)密切相關,此粗化表面是在525℃的溫度下通過控制Mg的不同流速制得的,實驗發(fā)現(xiàn),在Mg的流速為鍆0sccm時,光出效率最高,比傳統(tǒng)LED高出115%。

  


   I.s曲nitzcr等人提出用自然光刻法,采用旋轉鍍膜的方法將直徑300nm的聚苯乙烯球鍍在LED表面, JST5N60F這些小球遮擋住部分表面,然后用等離子刻蝕的方法將未遮擋的表面部分刻蝕至170nm深度,形成了粗糙的LED表面。R。WiIldisch報道了經(jīng)過表面粗糙處理后的GaAs基倒裝結構發(fā)光二極管的外量子效率達到笱%P剔。國內(nèi)也有人研究過在A1GaInP紅光系LED上表面制備一層介質(zhì)層,其材料折射率處于空氣與半導體材料的折射率之間,增大了出光的角度,使得光提取效率增加了35%以上卩劍。

   Hyung-Joo Lcc等人習研究了表面粗化的p型GaN層對630nm AlGaInP LED出光效率的影響,結果表明出光效率和生長在GaP表面粗化的p型GaN表面形態(tài)密切相關,此粗化表面是在525℃的溫度下通過控制Mg的不同流速制得的,實驗發(fā)現(xiàn),在Mg的流速為鍆0sccm時,光出效率最高,比傳統(tǒng)LED高出115%。

  


相關技術資料
8-10粗化少GaN表面的sEM圖像
相關IC型號
JST5N60F
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