PELD的發(fā)光機(jī)制
發(fā)布時(shí)間:2016/10/22 20:47:49 訪問(wèn)次數(shù):401
極化子在外加電場(chǎng)作用下,在鏈內(nèi)傳遞、跳躍、復(fù)合成為雙極子,光輻射失活發(fā)光。
8-17為聚合物電致發(fā)光過(guò)程。
(1)聚合物ELD的發(fā)光過(guò)程與小分子0LED相似,屬于注 DAC10GSZ-REEL 人式發(fā)光。
(2)共軛鏈中的π分子軌道,一半是成鍵π分子軌道,另一半是反鍵π分子軌道,這些軌道按能量高低依次排列。
(3)電子率先填充于能量較低的成鍵分子軌道,而能量較高的反鍵分子軌道一般是空的。
(4)在外加電場(chǎng)作用下,陰極電子被注人到最低未占據(jù)分子軌道(LUMo)中形成負(fù)極化子,陽(yáng)極注入空穴到最高占據(jù)分子軌道(HoM0)形成正極化子。
(5)正、負(fù)極化子在共軛聚合物鏈段上反方向遷移,最后正、負(fù)極化子復(fù)合形成激子,激子通過(guò)輻射衰減而發(fā)光。
極化子在外加電場(chǎng)作用下,在鏈內(nèi)傳遞、跳躍、復(fù)合成為雙極子,光輻射失活發(fā)光。
8-17為聚合物電致發(fā)光過(guò)程。
(1)聚合物ELD的發(fā)光過(guò)程與小分子0LED相似,屬于注 DAC10GSZ-REEL 人式發(fā)光。
(2)共軛鏈中的π分子軌道,一半是成鍵π分子軌道,另一半是反鍵π分子軌道,這些軌道按能量高低依次排列。
(3)電子率先填充于能量較低的成鍵分子軌道,而能量較高的反鍵分子軌道一般是空的。
(4)在外加電場(chǎng)作用下,陰極電子被注人到最低未占據(jù)分子軌道(LUMo)中形成負(fù)極化子,陽(yáng)極注入空穴到最高占據(jù)分子軌道(HoM0)形成正極化子。
(5)正、負(fù)極化子在共軛聚合物鏈段上反方向遷移,最后正、負(fù)極化子復(fù)合形成激子,激子通過(guò)輻射衰減而發(fā)光。
上一篇:聚合物oLED的結(jié)構(gòu)、原理與材料
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