主控制電路
發(fā)布時(shí)間:2016/10/25 21:11:28 訪問(wèn)次數(shù):435
在單片機(jī)ATS9C51中,用".4/⒛口作為溫度數(shù)字信號(hào)輸人端口;P1.4、P1.5、P1.6、P1.7作為按鍵控制輸人端口;PO。0~PO.7及”。5~”.7作為液晶LAL1224-51顯示輸出端口;P1.0、P1.2作為警報(bào)發(fā)光二極管的輸出端口;”.3作為警報(bào)蜂鳴器的輸出端口。
AT89C51中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器,引腳XTAu和XTA⒓分別是該放大器的輸人端和輸出端。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器,振蕩電路如圖10-28所示。外界石英晶體及電容C1、C2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對(duì)外接電容C1、C2雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求,但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性。如果使用石英晶體,一般選擇30±10pF電容;而使用陶瓷諧振器,則選擇40±10pF的電容。在本設(shè)計(jì)中使用的是石英晶體,選擇了22pF的電容。
欲使CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為OOOOH-FFFFH),EA必須保持低電平(接地)。如EA端為高電平,CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。在本設(shè)計(jì)中使用的是內(nèi)部存儲(chǔ)器,所以EA接高電平;當(dāng)振蕩器工作時(shí),RsT引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。
在單片機(jī)ATS9C51中,用".4/⒛口作為溫度數(shù)字信號(hào)輸人端口;P1.4、P1.5、P1.6、P1.7作為按鍵控制輸人端口;PO。0~PO.7及”。5~”.7作為液晶LAL1224-51顯示輸出端口;P1.0、P1.2作為警報(bào)發(fā)光二極管的輸出端口;”.3作為警報(bào)蜂鳴器的輸出端口。
AT89C51中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器,引腳XTAu和XTA⒓分別是該放大器的輸人端和輸出端。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器,振蕩電路如圖10-28所示。外界石英晶體及電容C1、C2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對(duì)外接電容C1、C2雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求,但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性。如果使用石英晶體,一般選擇30±10pF電容;而使用陶瓷諧振器,則選擇40±10pF的電容。在本設(shè)計(jì)中使用的是石英晶體,選擇了22pF的電容。
欲使CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為OOOOH-FFFFH),EA必須保持低電平(接地)。如EA端為高電平,CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。在本設(shè)計(jì)中使用的是內(nèi)部存儲(chǔ)器,所以EA接高電平;當(dāng)振蕩器工作時(shí),RsT引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。
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