結(jié)加正偏電壓時(shí),破壞了原零偏電壓時(shí)載流子的擴(kuò)散和漂移運(yùn)動(dòng)的平衡,由于空間電荷區(qū)電場(chǎng)減小,AD9271BSVZ-50載流子漂移運(yùn)動(dòng)被削弱,擴(kuò)散電流大于漂移電流,產(chǎn)生電子從n型區(qū)到p型區(qū)及空穴從p型區(qū)到n型區(qū)的正向電流。電子從中性n型區(qū)越過空間電荷區(qū)后向p型 區(qū)擴(kuò)散,成為p型區(qū)的非平衡少數(shù)載流子,電子邊擴(kuò)散邊與多數(shù)載流子空穴復(fù)合減少至消失。從p型區(qū)向n型區(qū)擴(kuò)散的空穴亦然。正向偏壓越大,空間電荷區(qū)電場(chǎng)越小,空間電荷區(qū)越薄,勢(shì)壘高度越低,正向電流越大。

   pn結(jié)加反偏電壓時(shí),空間電荷區(qū)電場(chǎng)增大,空間電荷區(qū)加寬,擴(kuò)散和漂移運(yùn)動(dòng)的平衡破壞,載流子漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng),漂移電流大于擴(kuò)散電流。這時(shí)n型中性區(qū)與空間電荷區(qū)邊界的空穴被空間電荷區(qū)的強(qiáng)電場(chǎng)驅(qū)向p型區(qū),同時(shí)p型中性區(qū)與空間電荷區(qū)邊界的電子被驅(qū)向n型區(qū)。當(dāng)這些少數(shù)載流子被驅(qū)走后,中性區(qū)的少子就靠擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)來補(bǔ)充,這個(gè)過程形成了反偏電壓下的少數(shù)載流子的反向擴(kuò)散電流,但是由于少數(shù)載流子的濃度很低,濃度梯度也很小,所以反向偏電壓下擴(kuò)散電流很小。零偏壓和分別外加正向和反向偏壓時(shí)pn結(jié)的能帶變化如圖3-25所示。