分子束外延技術(shù)是在超高真空系統(tǒng)(10:Pa)中,由構(gòu)成外延薄膜的一種或多種元素,以原子、原子束或分子束形式直接噴射到適當(dāng)溫度的單晶襯底上, H9TQ17ABJTMCUR-KUM同時控制分子束對襯底掃描,使得分子或原子按一定的結(jié)構(gòu)有序排列,形成晶體薄膜,其設(shè)備如圖5-14所示。分子束外延技術(shù)發(fā)展于⒛世紀⒛年代初,由美國Bcll實驗室和中國臺灣中研院始創(chuàng)。與VPE和LPE等外延技術(shù)是在接近于熱力學(xué)平衡下進行反應(yīng)不同,MBE是一種真空蒸鍍的物理沉積過程,生長主要由分子束和晶體表面的反應(yīng)動力學(xué)控制r MBE過程主要包括:①在超 高真空腔內(nèi),源材料在發(fā)射爐(噴射池,見圖5-14)中通過高溫蒸發(fā)、氣體裂解或電子束加熱蒸發(fā)等方法產(chǎn)生分子束流;②分子束流噴射到襯底表面,在于襯底交換能量后,經(jīng)表面吸附、遷移、成核、生長成膜。不同組分的噴射池分別排列在襯底的斜下方,各組分和摻雜劑的分子束直接噴射向保持一定溫度的襯底表面。在噴射池和襯底之間的空間被分為三個區(qū)域:分子束產(chǎn)生區(qū);分子束交疊和蒸發(fā)元素混合區(qū);襯底表面L的外延結(jié)晶區(qū)。