取極大值,即處于禁帶中接近的深能級是最有效的復合中心,而遠離的淺能級對復合影響小;隨溫度Γ增大,復合 AD9480BSUZ-250速率E/增大,即溫度越高sRH復合越明顯。

   在ⅡI-V半導體中,深能級缺陷主要來源于空位、填隙、雜質等點缺陷及位錯等線缺陷。減少深能級缺陷密度,抑制sRH復合是提高半導體材料和器件發(fā)光效率的一個重要途徑。俄歇復合是另一種重要的非輻射復合機制。電子一空穴對復合時,躍遷產生的能量不是通過發(fā)射光子釋放,而是傳遞給第三個載流子,可能是電子也可是空穴,使其激發(fā)到更高的能級上,之后受激發(fā)的載流子通過發(fā)射聲子失去能量回到原來的低能級。

   帶間發(fā)生俄歇復合的情況,在導帶中的第二個電子吸收了直接復合所釋放出的能量變成一個高能電子,隨后高能電子與晶格發(fā)生散射發(fā)射聲子將能量和動量轉化為熱消耗在晶格中。