由于俄歇復(fù)合系數(shù)與載流子濃度的三次方成正比,所以在大注入情況下俄歇復(fù)合的影響才比較顯著, AD9512BCPZ-REEL7此時俄歇復(fù)合成為降低半導(dǎo)體材料發(fā)光效率的―個重要因素。

   以上考慮的是半導(dǎo)體體內(nèi)的復(fù)合過程,實際上半導(dǎo)體表面發(fā)生的復(fù)合過程也不可忽視。表面復(fù)合發(fā)生在半導(dǎo)體材料的表面,其產(chǎn)生的機制與體內(nèi)復(fù)合并無差異。在半導(dǎo)體材料表面晶格的周期性被破壞,表面懸鍵、雜質(zhì)等缺陷在禁帶形成復(fù)合中心能級尻,表面復(fù)合屬于深能級缺陷輔助的非輻射復(fù)合。一般可以把表面復(fù)合當(dāng)作近表面的―個非常薄的區(qū)域內(nèi)的體內(nèi)復(fù)合處理,只是它的復(fù)合中心密度很高。

   通常用表面復(fù)合速率Rs表示表面復(fù)合快慢,單位時間內(nèi)在單位表面積復(fù)合的電子-空穴對數(shù)稱為表面復(fù)合率。實驗發(fā)現(xiàn),表面復(fù)合率與表面處的非平衡載流子濃度⒁刀)s成正比, 即 非平衡載流壽命負為 由上式可見,表面復(fù)合過程中非平衡載流子壽命由表面復(fù)合速率決定,而表面復(fù)合速率主要受半導(dǎo)體表面的物理性質(zhì)和環(huán)境的影響。為了抑制表面復(fù)合,一般通過工藝處理半導(dǎo)體表面,鈍化表面懸鍵,阻止氣體等外來雜質(zhì)的吸附,以得到穩(wěn)定的半導(dǎo)體表面,提高

器件的性能。