1.分別畫出面心立方晶格和體心立方晶格(100),(110),(111)晶面上原子排列示意圖。

   2,什么是直接帶隙?什么是間接帶隙半導體?并說明M25P64-VME6TG為什么發(fā)光器件一般不用si材料制作。

   3,室溫條件,GaAs突變pn結(jié)的受主和施主雜質(zhì)濃度分別為蠅=8×1017cmˉ3不口凡=5×1016呷尸,假設雜質(zhì)完全電離,求解pn結(jié)在平衡態(tài)下的內(nèi)建電場、勢壘高度和耗盡層寬度。(室溫下,GaAs禁帶寬度幾=1,緄Cv,本征載流子濃度刀i=2。l×106cmˉ3)

   4,計算h02Ga0:N/GaN異質(zhì)結(jié)構在c面的晶格失配大小和懸鍵密度。

   5對于In02Ga0:N/GaN雙異質(zhì)結(jié)構,勢阱中電子濃度為5×101:cm3。室溫下,不考慮GaN材料的極化效應,計算此結(jié)構通過電流時,電子越過勢壘泄漏的比例。(己知:%(IllxGahN”幾(hN》(1ˉ)幾(GaN)細b=l.43;室溫下,GaN和InN的禁帶寬度分別為3釓V和0。刀cV,In02Ga0:N/G瘀的導帶不連續(xù)M‘=065明g)

    參者資料

   [1] 趙品,謝輔洲,孫振國,材料科學基礎教程(第3版),哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學出版社,2009

   [2] 孟慶巨,胡云峰,敬守勇 半導體物理學簡明教程,北京:電子工業(yè)出版社,⒛14.

   l3] 馬品生,施倪承X射線晶體學一一晶體結(jié)構分析基本理論及實驗技術武漢:中國地質(zhì)大學出版社,