分析方法可以采用墓本要素組合法
發(fā)布時(shí)間:2013/9/20 18:20:30 訪問次數(shù):796
分析方法可以采用墓本要素組合法,M25P64-VME6TG一是分析所需要的儀器儀表,二是分析所需要的元器件,將兩者結(jié)合進(jìn)行綜合分析。
以2005年公布的全國大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競賽基本儀器和主要元器件清單為例:
從信號(hào)發(fā)生器和示波器的頻率范圍可見,信號(hào)頻率不會(huì)超過40 MHz,最高也不會(huì)超過60 MHz。信號(hào)波形為正弦波,要求調(diào)頻調(diào)幅及外調(diào)制功能。
使用雙蹤示波器,表示作品制作時(shí)需要同時(shí)觀測兩路信號(hào);使用數(shù)字示波器,表示作品制作時(shí)需要直接讀取一些數(shù)據(jù)。
使用頻率計(jì),表示作品制作時(shí)需要測量頻率。
使用失真度測試儀,表示作品制作時(shí)需要測量信號(hào)的失真。
使用低頻毫伏表,表示作品制作時(shí)需要測量低頻信號(hào)電壓。
使用高頻毫伏表,表示作品制作時(shí)需要測量高頻信號(hào)電壓。
使用交流電壓表和電流表(5 A),表示作品制作時(shí)需要測量交流電壓和電流。
使用41/2位數(shù)字萬用表,表示作品制作時(shí)需要精確測量電壓值。
使用單片機(jī)開發(fā)系統(tǒng)及EDA開發(fā)系統(tǒng)、單片機(jī)最小系統(tǒng)板(僅含單片機(jī)芯片、鍵盤與顯示裝置、存儲(chǔ)器)和可編程邏輯器件下載板(僅含可編程芯片、下載電路、配置存儲(chǔ)器),表示作品制作時(shí)需要使用單片機(jī)或者可編程邏輯器件才可以完成。
使用單相自耦調(diào)壓器(>500 W)和隔離變壓器(>250 W,220 Vl60 V),表示作品制作時(shí)需要調(diào)節(jié)交流電壓和隔離交流電匪。
需要秒表,表示作品制作時(shí)需要對(duì)時(shí)間進(jìn)行測量。
需要10 m卷尺,表示作品制作時(shí)需要對(duì)長度進(jìn)行測量。
使用A/D、D/A變換器,表示作品制作時(shí)需要將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),也需要將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)。
使用DDS集成芯片,表示作品制作時(shí)需要采用數(shù)字頻率合成技術(shù)。
使用光電傳感器,表示作品制作時(shí)需要對(duì)光信號(hào)進(jìn)行檢測。
使用運(yùn)算放大器、電壓比較器,表示作品制作時(shí)需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大和比較。
使用話筒、耳機(jī),表示作品制作時(shí)需要對(duì)聲音信號(hào)進(jìn)行傳播。
使用小型電動(dòng)機(jī),表示作品制作時(shí)需要對(duì)有一個(gè)驅(qū)動(dòng)力。
使用小型繼電器,表示作品制作時(shí)需要對(duì)一定功率的電信號(hào)進(jìn)行控制。
使用康銅、錳銅電阻絲,表示作品制作時(shí)需要對(duì)繞制電阻。
以2005年公布的全國大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競賽基本儀器和主要元器件清單為例:
從信號(hào)發(fā)生器和示波器的頻率范圍可見,信號(hào)頻率不會(huì)超過40 MHz,最高也不會(huì)超過60 MHz。信號(hào)波形為正弦波,要求調(diào)頻調(diào)幅及外調(diào)制功能。
使用雙蹤示波器,表示作品制作時(shí)需要同時(shí)觀測兩路信號(hào);使用數(shù)字示波器,表示作品制作時(shí)需要直接讀取一些數(shù)據(jù)。
使用頻率計(jì),表示作品制作時(shí)需要測量頻率。
使用失真度測試儀,表示作品制作時(shí)需要測量信號(hào)的失真。
使用低頻毫伏表,表示作品制作時(shí)需要測量低頻信號(hào)電壓。
使用高頻毫伏表,表示作品制作時(shí)需要測量高頻信號(hào)電壓。
使用交流電壓表和電流表(5 A),表示作品制作時(shí)需要測量交流電壓和電流。
使用41/2位數(shù)字萬用表,表示作品制作時(shí)需要精確測量電壓值。
使用單片機(jī)開發(fā)系統(tǒng)及EDA開發(fā)系統(tǒng)、單片機(jī)最小系統(tǒng)板(僅含單片機(jī)芯片、鍵盤與顯示裝置、存儲(chǔ)器)和可編程邏輯器件下載板(僅含可編程芯片、下載電路、配置存儲(chǔ)器),表示作品制作時(shí)需要使用單片機(jī)或者可編程邏輯器件才可以完成。
使用單相自耦調(diào)壓器(>500 W)和隔離變壓器(>250 W,220 Vl60 V),表示作品制作時(shí)需要調(diào)節(jié)交流電壓和隔離交流電匪。
需要秒表,表示作品制作時(shí)需要對(duì)時(shí)間進(jìn)行測量。
需要10 m卷尺,表示作品制作時(shí)需要對(duì)長度進(jìn)行測量。
使用A/D、D/A變換器,表示作品制作時(shí)需要將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),也需要將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)。
使用DDS集成芯片,表示作品制作時(shí)需要采用數(shù)字頻率合成技術(shù)。
使用光電傳感器,表示作品制作時(shí)需要對(duì)光信號(hào)進(jìn)行檢測。
使用運(yùn)算放大器、電壓比較器,表示作品制作時(shí)需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大和比較。
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使用康銅、錳銅電阻絲,表示作品制作時(shí)需要對(duì)繞制電阻。
分析方法可以采用墓本要素組合法,M25P64-VME6TG一是分析所需要的儀器儀表,二是分析所需要的元器件,將兩者結(jié)合進(jìn)行綜合分析。
以2005年公布的全國大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競賽基本儀器和主要元器件清單為例:
從信號(hào)發(fā)生器和示波器的頻率范圍可見,信號(hào)頻率不會(huì)超過40 MHz,最高也不會(huì)超過60 MHz。信號(hào)波形為正弦波,要求調(diào)頻調(diào)幅及外調(diào)制功能。
使用雙蹤示波器,表示作品制作時(shí)需要同時(shí)觀測兩路信號(hào);使用數(shù)字示波器,表示作品制作時(shí)需要直接讀取一些數(shù)據(jù)。
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使用高頻毫伏表,表示作品制作時(shí)需要測量高頻信號(hào)電壓。
使用交流電壓表和電流表(5 A),表示作品制作時(shí)需要測量交流電壓和電流。
使用41/2位數(shù)字萬用表,表示作品制作時(shí)需要精確測量電壓值。
使用單片機(jī)開發(fā)系統(tǒng)及EDA開發(fā)系統(tǒng)、單片機(jī)最小系統(tǒng)板(僅含單片機(jī)芯片、鍵盤與顯示裝置、存儲(chǔ)器)和可編程邏輯器件下載板(僅含可編程芯片、下載電路、配置存儲(chǔ)器),表示作品制作時(shí)需要使用單片機(jī)或者可編程邏輯器件才可以完成。
使用單相自耦調(diào)壓器(>500 W)和隔離變壓器(>250 W,220 Vl60 V),表示作品制作時(shí)需要調(diào)節(jié)交流電壓和隔離交流電匪。
需要秒表,表示作品制作時(shí)需要對(duì)時(shí)間進(jìn)行測量。
需要10 m卷尺,表示作品制作時(shí)需要對(duì)長度進(jìn)行測量。
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使用光電傳感器,表示作品制作時(shí)需要對(duì)光信號(hào)進(jìn)行檢測。
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以2005年公布的全國大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競賽基本儀器和主要元器件清單為例:
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使用雙蹤示波器,表示作品制作時(shí)需要同時(shí)觀測兩路信號(hào);使用數(shù)字示波器,表示作品制作時(shí)需要直接讀取一些數(shù)據(jù)。
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使用康銅、錳銅電阻絲,表示作品制作時(shí)需要對(duì)繞制電阻。
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