與DH-LED相比,QW-LED更具優(yōu)勢,主要體現(xiàn)在:

   (1)勢阱厚度更薄,較低注M54583FP入電流密度下即可獲得高的載流子濃度,內(nèi)量子效率更高,光子吸收更小;

    (2)分立能級結(jié)構(gòu)使注入效率更高、輻射光子的能量更為集中、光譜更純;

   (3)采用MQW結(jié)構(gòu)可以使LED獲得更大的輸出光通量。

   目前,QW-LED最大的問題是發(fā)光效率隨注入電流的增大而減小,除大注入引起的“載流子溢流”(oⅤernow of caⅡicrs)、俄歇復(fù)合外,其他物理機(jī)理尚未完全清楚。研究發(fā)現(xiàn)藍(lán)寶石襯底c-p1ane方向外延生長會(huì)在晶體內(nèi)產(chǎn)生自發(fā)極化與壓電極化,極化電場將使QW能帶傾斜,致使量子阱中電子波函數(shù)與空穴波函數(shù)在空間上分離,從而減少了發(fā)生復(fù)合的概率。還發(fā)現(xiàn)由于電子與空穴的遷移率不同,造成MQW各阱中的載流子濃度不均勻匹配,降低了發(fā)光效率。此外,隨著注入電流的增加,俄歇復(fù)合快速增加,也將降低發(fā)光效率。該領(lǐng)域的研究還在不斷深入,例如:藍(lán)寶石圖形襯底外延、無極化方向外延及量子阱中生長高能量的電子勢壘、漸變量子阱等。此外,新型襯底材料的出現(xiàn)將使得藍(lán)綠光LED的同質(zhì)外延成為可能。這些技術(shù)均可大幅提升LED的內(nèi)量子效率。