一種量子阱LED的結(jié)構(gòu)如圖⒋8所示,在圖形化的n型藍(lán)寶石襯底上低溫外延生長n型GaN過渡層,M5230L該層的作用是為其上生長的半導(dǎo)體材料提供低缺陷的高質(zhì)量晶體結(jié)構(gòu);再在其上生長量子阱諸層。量子阱由勢阱和勢壘共同組成,如圖4J所示。僅稱生長一對勢阱和勢壘的為單量子阱(sing⒗Quantum wcll,sQW),生長多對且勢壘厚度遠(yuǎn)大于勢阱厚度的為多量子阱(Multi―Quantum ure11,MQW);若勢壘厚度與勢阱厚度相似,則稱之為超晶格結(jié)構(gòu);再在QW層上生長頂層,其作用與DH結(jié)構(gòu)相同,金屬電極的結(jié)構(gòu)與前述LED一致。發(fā)光區(qū)域集中在QW層區(qū)。

   圖⒋8 常用的藍(lán)綠光多量子阱LED的結(jié)構(gòu)示意圖

   量子阱結(jié)構(gòu)LED是在DH結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)之上、得益于諸如MOCVD(金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積)及MBE(分子束外延)等精密外延技術(shù)的進(jìn)步而發(fā)展起來的新型發(fā)光器件。sQW結(jié)構(gòu)與DH結(jié)構(gòu)相同,僅當(dāng)p型層的厚度小于德布洛意(De Broglic)波長揚(yáng)(楊勘/p,此處的`為電子的動(dòng)量,通常揚(yáng)約為幾十納米量級(jí))時(shí),導(dǎo)帶與價(jià)帶的能帶不再連續(xù),分別分裂成一系列的分離能級(jí),如圖⒋10所示。過剩電子將主要分布在導(dǎo)帶E1c能級(jí),過�？�穴主要分布在價(jià)帶重空穴能級(jí)￡l⒒和輕空穴能級(jí)￡1h。勢阱中的電子與空穴碰撞發(fā)生輻射復(fù)合而發(fā)光。