基于鍵合技術的白光發(fā)光二極管:這種方法是由藍光基色芯片和其他基色芯片鍵合在一起混光形成白光。LM3409MY一種方法是將分別制備的藍光基色芯片和紅光基色芯片發(fā)光面之間蒸鍍ITo層,然后經(jīng)過鍵合、減薄GaAs襯底、光刻、刻蝕及濺射金屬電極,制備成白光發(fā)光器件。其中,藍光基色芯片有一個n電極,紅光基色芯片有一個p電極,當測試電流流過這兩個電極時,紅光LED和藍光LED同時發(fā)光,得到白光。鍵合形成自光芯片如圖⒋32(b)所示。

   利用有源層InGaN形成量子點獲得白光:這種方法的原理是利用InGraN層的應力導致InGaN量子阱出現(xiàn)較多的富In量子點,這些量子點出射不同波長的光混合得到白光,缺點是量子點難控制,并且做成的器件的性能和重復性都不好。

    將雜質摻入藍光多量子阱有源區(qū)發(fā)光:例如把碳原子注入到InGaN/GaXT多量子阱LED中,藍光和碳原子雜質發(fā)出的黃光混合得到白光。采用這種方法的缺點是雜質原子的摻雜困難,效率不高。