發(fā)射光的亮度仍未達到照明使用的標準,且發(fā)射波長偏紫色,

因此需要開發(fā)新型的結構以達到照明光源的要求。H9DA4GH2GJBMCR-4EM高效藍光LED器件制各的關鍵一步是合金(InG之N和A1GaN體系)的生長和p型摻雜,這是制備異質結的關鍵。InG瘀(化學式:I‰Ga宀N)是由GaN和InN混合組成的Ⅲ-V族三元系合金半導體材料,具有直接帶隙結構。InGaN的禁帶寬度隨著In在合金中的含量(x)變化而變化(室溫下的禁帶寬度范圍為1,95~3,4eV),也決定了其發(fā)射光波長隨著In含量而變化。通常豸值的變化范圍在0,m到0.3之間,豸=0.朧時發(fā)射近紫外光;豸=0,1時發(fā)射波長為390nm的紫外光;J=0.2時發(fā)射波長為輥0nm的藍紫光;豸=0.3時發(fā)射波長為軺0nm的藍光。AlGaN合金半導體材料由AlN和GaN組成,其發(fā)光范圍覆蓋了從藍光到紫外光的區(qū)域。19%年,NakalllLlra等首次開發(fā)出InGaN從lGaN雙異質結,并采用Zn摻雜提高InGaN有源層的發(fā)光強度,實現了2.7%的外量子效率,成功制各出波長為450nm,適合于照明用的高亮度藍光LED,并將此藍光LED商品化,其結構如圖5-6所示。