薄膜倒裝芯片(TFFC,Thin Fi1m FⅡ Chip)結(jié)合了垂直薄膜和倒裝芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),首先利用激光剝離技術(shù)去除藍(lán)寶石襯底,然后將其倒裝焊接在高熱傳導(dǎo)的襯底上,K4B2G1646E-BCK0 與垂直薄膜相似,薄膜倒裝芯片在藍(lán)寶石襯底剝離后,能夠在裸露的n型GaN層出光表面用光刻技術(shù)做表面粗化以提高光提取效率。而倒裝焊接的結(jié)構(gòu)減少了金屬引線鍵合工藝,縮短了有源層到出光面的距離,在減少封裝體積的同時(shí)也增加了出光效率。因此,與傳統(tǒng)的倒裝芯片和垂直薄膜LED芯片相比較,TFFC具有更高的亮度和更大的光輸出效率,其表面的向上光輸出能達(dá)到約100%。

   薄膜倒裝芯片技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)最大化發(fā)光和最小化熱阻,從而產(chǎn)生更高的亮度,更適用于高功率半導(dǎo)體照明領(lǐng)域。目前高功率TFFC藍(lán)光LED(波長(zhǎng)約為矽5nm)在3501uA驅(qū)動(dòng)電流時(shí)的外量子效率高達(dá)約56%,在更低驅(qū)動(dòng)電流時(shí)可達(dá)約Ω%。該藍(lán)光LED在1A驅(qū) 光發(fā)射 動(dòng)電流時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)超過1.3W功率的光學(xué)照明。TFFC綠光LED(波長(zhǎng)約為520nm)在3501nA驅(qū)動(dòng)電流時(shí)的外量子效率約為29%,在低電流MQW發(fā)光層 時(shí)外量子效率約為36%,由其制備的LED光源反光p極觸片 實(shí)現(xiàn)的最高光效可達(dá)約1621猁η廠。在驅(qū)動(dòng)電流反光p極   為1A時(shí),TFFC綠光LED的光通量能夠達(dá)到約4叨mW(約2221m),這是己知的綠光LED所能獲得的最佳結(jié)果。