目前商業(yè)化的GaN基外延片采用的是兩步生長工藝。外延片生長工藝復(fù)雜,一個簡JANTX1N755AUR-1單的GaN藍(lán)光LED量子阱結(jié)構(gòu)的生長工藝包括高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、n型GaN層生長、量子阱發(fā)光層生長及p型GaN層生長。詳細(xì)工藝流程如下:

   (1)高溫烘烤,藍(lán)寶石襯底首先在氫氣氣氛中被加熱至1050℃,目的是清潔襯底表面;

   (2)襯底溫度降至510℃,在藍(lán)寶石襯底表面沉積30nm厚度的低溫GaN/AlN緩沖層;

   (3)升溫至10⒛℃,通入反應(yīng)氣氨氣、三甲基鎵和硅烷,各自控制相應(yīng)的流速,生長4um厚度的硅摻雜n型GaN;

   (4)通入三甲基鋁和三甲基鎵反應(yīng)氣,制備厚度為0.15um的硅摻雜n型A⒑洲;

   (5)溫度降至8O0℃,通入三甲基鎵、三甲基銦、二乙基鋅和氨氣并各自控制不同的流速制備50nm的zn摻雜InGaN;

   (6)溫度升高至1020℃,通入三甲基鋁、三甲基鎵和雙(環(huán)戊二烯基)鎂,制備0.15um厚度的Mg摻雜p型AlGaN和0.5um厚度的Mg摻雜p型G瘀;

   (7)700℃氮?dú)鈿夥罩型嘶鹛幚慝@得高質(zhì)量p型GaN夕卜延薄膜;

   (8)在p型G瘀表面進(jìn)行刻蝕露出n型G瘀表面;

   (9)分別在p-GaNI表面蒸鍍Ni/Au觸片,ll-GaN表面蒸鍍△/Al觸片形成電極。