MOCVD設備是外延材料生長與芯片生產(chǎn)最為關(guān)鍵的設備,不僅決定LED產(chǎn)品的性能,而且也決定LED產(chǎn)品的性能。JANTX1N829-1一般而言,整體MOCⅤD設各及外延生長相關(guān)成本占LED生產(chǎn)成本的60%。作為LED芯片生產(chǎn)中的關(guān)鍵設備,MOCVD的核心技術(shù)一直被歐美企業(yè)所壟斷。德國AIXTRON公司和美國VEECo公司幾乎生產(chǎn)了全球90%以上的主流MOCVD設備。日本廠家制造的MOCVD設備基本限于日本國內(nèi)使用,日亞公司的設各主要用于自己的研發(fā)和生產(chǎn)。國際上MOCVD技術(shù)己經(jīng)非常成熟,主流設備從6片機(⒛∞年)、12片機(⒛“年)、15片機(⒛05年),目前己達到緄、45、翎片機(一次可裝載⒆片2英寸的襯底進行外延生長)�，F(xiàn)階段,4英寸MOCⅤD設備已經(jīng)開始逐漸取代2英寸襯底的外延生長設備。

   由于MOCVD系統(tǒng)最重要的問題是保證外延材料生長的均勻性和重復性,因此不同廠家的MOCVD系統(tǒng)最主要的區(qū)別在于反應室的結(jié)構(gòu),如圖5-15所示。德國AIXTRON公司采用行星式反應室(Planctaγ Rcactor),美國VEECo采用Turbo nsc反應室,英國ThomasSwan公司(該公司于⒛0~s年被AIXTRON公司收購)采用Closcd Couplcd Showcrhcad(CCS)反應室。德國AIXTRON的行星式反應室中,前驅(qū)體氣源從爐蓋中心的噴氣口進入反應室腔內(nèi),通過特有的設計使得氣流方向變?yōu)樗搅鞒?這一設計有效地避免了反應室內(nèi)的側(cè)壁效應,一股中間氣流為Ⅲ族源,上下兩路氣流為V族源。襯底放在小的石墨基盤上,通入一定流量的氣體推動小盤各自自行旋轉(zhuǎn),同時小盤也隨著大石墨基盤公轉(zhuǎn),從而形成行星式旋轉(zhuǎn)。通過調(diào)節(jié)小盤的氣體流量,改變自轉(zhuǎn)的速度,從而獲得均勻的生長速率。各個小石墨基盤的行星式旋轉(zhuǎn)使其上放置的襯底表面與氣流充分的均勻接觸,保證了各個外延片生長的均勻性和重復性。