圖形化藍(lán)寶石襯底的制備工藝主要有℃P干法刻蝕和濕法化學(xué)刻蝕工藝。ICP干法刻蝕:先在藍(lán)寶石襯底上沉積一層sio或光刻膠掩膜; G1PM109NLF然后利用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝在掩膜上制作光刻圖形;最后利用高能等離子體刻蝕藍(lán)寶石襯底表面,在去除掩膜后可得到相應(yīng)的圖形化襯底。

   濕法化學(xué)刻蝕:利用光刻技術(shù)首先在藍(lán)寶石襯底表面用光刻膠制作出所需圖形;然后采用等離子體氣相沉積法(PECVD)沉積Sio2:最后用Sio2作為蝕刻掩膜層,在280℃下以磷酸和硫酸的混合溶液高溫蝕刻藍(lán)寶石襯底從而在表面形成圖形化。

   藍(lán)寶石襯底的圖形化制備經(jīng)歷了從最早由si02或siNx直接作為圖形襯底,到微米尺寸的柱形圖形化、半球形圖形化、V形圖形化和圓錐形圖形化,現(xiàn)在正在向納米尺寸圖形化發(fā)展。目前廣泛應(yīng)用于工業(yè)化生產(chǎn)的是微米量級(jí)圖形化藍(lán)寶石襯底,納米級(jí)圖形化藍(lán)寶石襯底還主要處在實(shí)驗(yàn)室研究階段。