然而,相對于InGaN-G瘀藍光LED和AlGaInP紅光LED分別

高達80%和ω%的電光轉換效率,綠光LED的電光效率僅為30%,這極大地制約了這一技術在半導體照明中的應用。A1020B1PL44CM熒光粉轉換白光發(fā)光LED由于具有成本低,電路設計和控制 簡便等特點,是目前半導體照明產業(yè)中最廣泛采用的實現(xiàn)白光發(fā)射的技術。因此,熒光粉是自光LED器件中最為關鍵的原材料之一,其發(fā)光性能直接影響LED器件的發(fā)光強度,顯色指數(shù),色溫和壽命等性能指標。

   自光LED光源器件根據制作過程可分為前段材料生長,中段芯片制備和后段器件封裝,如圖5-2所示。前段過程包括襯底和外延片的生產與制造,這是整個LED產業(yè)鏈的制高點,也是實現(xiàn)白光LED照明的起點。外延生長是指在單晶襯底上生長與襯底材料具有相同或相近結晶學取向的薄層單晶的過程。襯底是支撐外延薄膜的基底,GaAs基LED和AlGaInP基LED大都采用G扒s基底,而白光LED應用中的GaN基LED則主要利用藍寶石、碳化硅和單晶硅等異質襯底。