O0A的快速晶閘管元器件
發(fā)布時間:2016/11/19 19:25:29 訪問次數(shù):446
⒛世紀(jì)末期的提高性能期。1998年之后,國內(nèi)開發(fā)單機容量1000kW以上的中頻電源,MAX3207EAUT+T推動了快速晶間管制造水平的進一步提高,國內(nèi)已能生產(chǎn)單管電流容量達⒛00A、笏O0A的快速晶閘管元器件,但關(guān)斷時間對15OOA以上的晶閘管仍然很難降到⒛灬以下。為了解決大中頻電源的重爐啟動問題,開發(fā)出了第五代中頻電源控制板,即不要同步變壓器的自對相和相序自適應(yīng)的掃頻啟動板,使晶間管中頻電源的性能和水平上了一個很高的檔次。
為了解決電網(wǎng)的污染問題,提高效率,借助于⒑BT及M0叩ET制造水平的提高、容量的擴大和成本的下降,中變頻電源已在小容量領(lǐng)域從晶閘管向以⒑BT和MOsFET為主功率器件的高頻電源過渡(工作頻率范圍為⒛~⒛0kHz),并已批量投人I業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用。
中頻電源技術(shù)現(xiàn)狀
目前國產(chǎn)中頻電源都采用并聯(lián)諧振型逆變器結(jié)構(gòu),因此在研究和開發(fā)更大容量的并聯(lián)逆變中頻電源的同時,研制結(jié)構(gòu)簡單、易于頻繁啟動的串聯(lián)逆變中頻電源是國內(nèi)中頻感應(yīng)加熱裝置領(lǐng)域有待解決的問題。尤其是在熔煉、鑄造應(yīng)用中,串聯(lián)逆變中頻電源易實現(xiàn)全工況下恒功率輸出(有利于降低電能損耗)及一機多負載功率分配控制,更值得推廣應(yīng)用。
⒛世紀(jì)末期的提高性能期。1998年之后,國內(nèi)開發(fā)單機容量1000kW以上的中頻電源,MAX3207EAUT+T推動了快速晶間管制造水平的進一步提高,國內(nèi)已能生產(chǎn)單管電流容量達⒛00A、笏O0A的快速晶閘管元器件,但關(guān)斷時間對15OOA以上的晶閘管仍然很難降到⒛灬以下。為了解決大中頻電源的重爐啟動問題,開發(fā)出了第五代中頻電源控制板,即不要同步變壓器的自對相和相序自適應(yīng)的掃頻啟動板,使晶間管中頻電源的性能和水平上了一個很高的檔次。
為了解決電網(wǎng)的污染問題,提高效率,借助于⒑BT及M0叩ET制造水平的提高、容量的擴大和成本的下降,中變頻電源已在小容量領(lǐng)域從晶閘管向以⒑BT和MOsFET為主功率器件的高頻電源過渡(工作頻率范圍為⒛~⒛0kHz),并已批量投人I業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用。
中頻電源技術(shù)現(xiàn)狀
目前國產(chǎn)中頻電源都采用并聯(lián)諧振型逆變器結(jié)構(gòu),因此在研究和開發(fā)更大容量的并聯(lián)逆變中頻電源的同時,研制結(jié)構(gòu)簡單、易于頻繁啟動的串聯(lián)逆變中頻電源是國內(nèi)中頻感應(yīng)加熱裝置領(lǐng)域有待解決的問題。尤其是在熔煉、鑄造應(yīng)用中,串聯(lián)逆變中頻電源易實現(xiàn)全工況下恒功率輸出(有利于降低電能損耗)及一機多負載功率分配控制,更值得推廣應(yīng)用。
熱門點擊
- 施主雜質(zhì)和施主能級(N型半導(dǎo)體)
- 整流橋的主要參數(shù)有反向峰值電壓
- 視覺函數(shù)
- 非簡并半導(dǎo)體
- 光子與電子的相互作用
- 標(biāo)準(zhǔn)照明體C和C光源
- 根據(jù)DS18B20的通信協(xié)議
- 比亞迪堅持以人為本的人力資源方針
- 食人魚封裝
- 晶閘管中頻電源的工作原理
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時實現(xiàn)時域和頻域分析,DS... [詳細]
- AMOLED顯示驅(qū)動芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- GB300 超級芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究