⒛世紀(jì)⒛年代的成熟應(yīng)用期。到1980年以后,由于國產(chǎn)晶閘管制造工藝的長足進(jìn)步及技術(shù)引進(jìn), MAX3085EESA+T其可靠性獲得了很大的進(jìn)步,因而中頻電源逐步從實(shí)驗(yàn)室進(jìn)人了工業(yè)生產(chǎn)實(shí)際應(yīng)用中。這一時(shí)期的晶問管中頻電源逆變橋已逐步從多只快速晶閘管串聯(lián)向單只晶閘管過渡,但輸出工作頻率仍然不是很高,多在2.5kHz以下,要獲得4kHz或8kHz的輸出頻率仍不得不使用倍頻等復(fù)雜控制技術(shù)。

   這一時(shí)期晶間管中頻電源的啟動(dòng)方案多為帶有專門充電環(huán)節(jié)的撞擊式啟動(dòng)方案,且控制板為多塊小控制板構(gòu)成的插件箱式結(jié)構(gòu)。整個(gè)控制系統(tǒng)通常由12塊控制板構(gòu)成(6塊整流觸發(fā)板、2塊逆變脈沖板、1塊正電源板、1塊負(fù)電源板、1塊保護(hù)板、1塊調(diào)節(jié)板),在這一時(shí)期快速晶間管國產(chǎn)水平關(guān)斷時(shí)間最快為35灬,而阻斷電壓最高不超過1600Ⅴ,平均電流最大為500A,由此決定了對功率容量超過350kW的感應(yīng)加熱采用中頻電源時(shí)不得不采用多只快速晶問管并聯(lián)的方案。

   80年代初,人們將現(xiàn)代半導(dǎo)體微集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行結(jié)合,相繼開發(fā)出一大批全控電力電子半導(dǎo)體器件(GTR、M0ⅢET、sIT、SITH及MCT等),為全固態(tài)超音頻、高頻電源的研制打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

   ⒛世紀(jì)⒇年代的大范圍推廣應(yīng)用期。經(jīng)歷了前述兩個(gè)時(shí)期,我國的晶間管中頻電源技術(shù)已較成熟。國產(chǎn)快速晶問管制造工藝采用中子幅照等使關(guān)斷時(shí)間進(jìn)一步縮短,從35u左右降到z~s ILs左右,甚至⒛u以下;阻斷電壓已從1600Ⅴ上升到⒛00Ⅴ左右;快速晶閘管的容量進(jìn)一步提高,單管容量已從500A增加到1000A;控制技術(shù)已有撞擊式啟動(dòng)、零壓啟動(dòng)、內(nèi)/外橋轉(zhuǎn)換啟動(dòng)等方案,感應(yīng)加熱中頻電源的功率容量已從幾十千瓦增加到500kW,甚至1000kW。