半導(dǎo)體三極管
發(fā)布時(shí)間:2016/12/21 21:01:16 訪問(wèn)次數(shù):403
1,半導(dǎo)體三極管的分類(lèi)
半導(dǎo)體三極管也稱(chēng)雙極型晶體管,其種類(lèi)非常多。
按材料可分為硅管和鍺管兩類(lèi),晶體三M02067L-09-T極管按導(dǎo)電類(lèi)型可分為NPN型和PNP型。
按集電結(jié)耗散功率的大小可分為小功率管(P唧(1W)和大功率管(P⑶)1W)。
按使用的頻率范圍可分為低頻管(幾(3MHz)和高頻管(凡>3MHZ)。
2,半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)
(1)共射電流放大系數(shù)`:`值一般為⒛~~900,它是表征三極管電流放大作用的最主要參數(shù)。
(2)反向擊穿電壓值U(:Rl σ。:指基極開(kāi)路時(shí)加在c和e兩極間電壓的最大允許值,一般為幾十伏,高壓大功率管可達(dá)千伏以上。
(3)最大集電極電流rc.M:指由于三極管集電極電流rc過(guò)大使`值下降到規(guī)定允許值時(shí)的電流(一般指`值下降到2/3正常值時(shí)的Ⅰc值)。實(shí)際管子在△作時(shí)超過(guò)rc.M并不一定損壞,但管子的性能將變差。
(4)最大管耗PcM:指根據(jù)三極管允許的最高結(jié)溫而定出的集電結(jié)最大允許耗散功率。在實(shí)際工作中,三極管的Fc與U∞的乘積要小于PcM值,反之則可能燒壞管子。
(5)穿透電流JcˉE。:指在三極管基極電流r:=o時(shí),流過(guò)集電極的電流rc。它表明基極對(duì)集電極電流失控的程度。小功率硅管的廴R)約為0.1uA,鍺管的值要比它大1000倍,大功率硅管的△α)約為毫安數(shù)量級(jí)ε
(6)特征頻率rT:指三極管的沼值下降到1時(shí)所對(duì)應(yīng)的I作頻率c yi的典型值為100~lOOOM%實(shí)際工作頻率夂告n。
1,半導(dǎo)體三極管的分類(lèi)
半導(dǎo)體三極管也稱(chēng)雙極型晶體管,其種類(lèi)非常多。
按材料可分為硅管和鍺管兩類(lèi),晶體三M02067L-09-T極管按導(dǎo)電類(lèi)型可分為NPN型和PNP型。
按集電結(jié)耗散功率的大小可分為小功率管(P唧(1W)和大功率管(P⑶)1W)。
按使用的頻率范圍可分為低頻管(幾(3MHz)和高頻管(凡>3MHZ)。
2,半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)
(1)共射電流放大系數(shù)`:`值一般為⒛~~900,它是表征三極管電流放大作用的最主要參數(shù)。
(2)反向擊穿電壓值U(:Rl σ。:指基極開(kāi)路時(shí)加在c和e兩極間電壓的最大允許值,一般為幾十伏,高壓大功率管可達(dá)千伏以上。
(3)最大集電極電流rc.M:指由于三極管集電極電流rc過(guò)大使`值下降到規(guī)定允許值時(shí)的電流(一般指`值下降到2/3正常值時(shí)的Ⅰc值)。實(shí)際管子在△作時(shí)超過(guò)rc.M并不一定損壞,但管子的性能將變差。
(4)最大管耗PcM:指根據(jù)三極管允許的最高結(jié)溫而定出的集電結(jié)最大允許耗散功率。在實(shí)際工作中,三極管的Fc與U∞的乘積要小于PcM值,反之則可能燒壞管子。
(5)穿透電流JcˉE。:指在三極管基極電流r:=o時(shí),流過(guò)集電極的電流rc。它表明基極對(duì)集電極電流失控的程度。小功率硅管的廴R)約為0.1uA,鍺管的值要比它大1000倍,大功率硅管的△α)約為毫安數(shù)量級(jí)ε
(6)特征頻率rT:指三極管的沼值下降到1時(shí)所對(duì)應(yīng)的I作頻率c yi的典型值為100~lOOOM%實(shí)際工作頻率夂告n。
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