從電路的角度來考慮中頻電源的大容量化,可將大容量化技術(shù)分為兩大類:一類是器件的串、 INA126E/2K5G4并聯(lián);另一類是多橋或多臺電源的串、并聯(lián)。在器件的串、并聯(lián)方式中,必須認(rèn)真處理串聯(lián)器件的均壓問題和并聯(lián)器件的均流問題,由于器件制造工藝和參數(shù)的離散性,限制了器件的串、并聯(lián)數(shù)目,且串、并聯(lián)數(shù)越多,裝置的可靠性越差。臺電源的串、并聯(lián)技術(shù)是在器件串、并聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上進(jìn)一步再容量化的有效手段,借助于可靠的電源串、并聯(lián)技術(shù),在單機(jī)容量適當(dāng)?shù)那闆r下,可簡單地通過串、并聯(lián)運(yùn)行方式得到大容量裝置,每臺單機(jī)只是裝置的一個(gè)單元(或一個(gè)模塊)。

   在超音頻(10~100kHz)范圍內(nèi),由于晶閘管本身開關(guān)特性等參數(shù)的限制,給研制該頻段的電源帶來了很大的技術(shù)難度。而在歐美,由于SIT存在高通態(tài)損耗(⒊T工作于非飽和區(qū))等缺陷,其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化,MOsFET高頻感應(yīng)加熱電源的容量得到了飛速發(fā)展。西班牙采用MOSFET的電流型感應(yīng)加熱電源制造水平達(dá)ω0kW、硐0kHz;德國在1989年研制的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平達(dá)480kW、50~⒛0kHz;比利時(shí)Inducto Eiphac公司生產(chǎn)的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平可達(dá)1000kW、15~ω0kHz。浙江大學(xué)在⒛世紀(jì)⒇年代研制出⒛kW、3OOkHz MOSFET高頻電源,已被成功應(yīng)用于小型刀具的表面熱處理和飛機(jī)渦輪葉片的熱應(yīng)力考核。