中頻電源中三相全控整流橋的觸發(fā)器采用集脈沖形成
發(fā)布時間:2017/1/4 20:05:48 訪問次數(shù):398
我國中頻電源就其技術(shù)現(xiàn)狀可以概括為以下幾點。
(l)以晶間管為主功率器件的INA118U中頻電源已覆蓋了工作頻率為8kHz以下的所有領(lǐng)域,其單機(jī)功率容量分50kW、160kW、50kW、500kW、1000kW、⒛00kW、笏0OkW、3000kW幾種,工作頻率有400Hz、1kHz、2.5kHz、4kHz、8kHz幾種。
(2)中頻電源中三相全控整流橋的觸發(fā)器采用集脈沖形成、保護(hù)、功率放大、脈沖整形于一體的單一大板結(jié)構(gòu)(內(nèi)含逆變橋的脈沖產(chǎn)生與功放和調(diào)節(jié)器)。
(3)中頻電源中三相整流橋的晶閘管觸發(fā)器已從采用同步變壓器,需現(xiàn)場調(diào)試校正相序的控制模式向不用同步變壓器的具有相位自適應(yīng)功能的觸發(fā)器過渡。
(4)晶閘管中頻電源的啟動方式已從撞擊式啟動、零壓啟動、內(nèi)外橋轉(zhuǎn)換啟動過渡到掃頻啟動,其控制技術(shù)已從電壓或電流閉環(huán)調(diào)節(jié)進(jìn)步到恒功率控制,從而使中頻電源的控制效果更好,提高了中頻電源的使用效率。
(5)中頻電源用快速晶閘管的單管容量已達(dá)9~sO0A/2500Ⅴ,其最短關(guān)斷時間已達(dá)15u,與中頻電源配套的無感電阻高頻電容等制造技術(shù)得到了長足的進(jìn)步,為晶間管中頻電源的設(shè)計、制造提供了極大的方便。
(6)晶閘管中頻電源的零部件及配套件,如散熱器、熔斷器、電抗器、控制板,已標(biāo)準(zhǔn)化、系列化、批量生產(chǎn)化,給晶閘管中頻電源的制造商及維護(hù)人員帶來了極大的方便。
(7)MOsFET和IGBT等全控型功率半導(dǎo)體器件的容量已日益擴(kuò)大,與⒑BT及MOS-FET配套的驅(qū)動器和保護(hù)電路已系列化和標(biāo)準(zhǔn)化,給中頻和超音頻中頻電源的設(shè)計、制造奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。以IGBT和MOSFET為主功率器件的中頻電源,其單機(jī)容量在⒛0kW以內(nèi),置作頻率范圍基本上都為⒛~⒛0kHz,超過⒛kHz的中頻電源基本上都是采用M0⒊ET。但目前MOSFET的額定參數(shù)限制了中頻電源功率的提升,雖然可采用直接將MOsFET并聯(lián),或?qū)OSFET構(gòu)成逆變橋,再多個逆變橋并聯(lián)的方案,但卻使主電路和控制電路復(fù)雜,可靠性下降。為此采用ICBT和MOSFET為主功率器件的中頻電源,仍是需要進(jìn)一步研發(fā)的課題。
我國中頻電源就其技術(shù)現(xiàn)狀可以概括為以下幾點。
(l)以晶間管為主功率器件的INA118U中頻電源已覆蓋了工作頻率為8kHz以下的所有領(lǐng)域,其單機(jī)功率容量分50kW、160kW、50kW、500kW、1000kW、⒛00kW、笏0OkW、3000kW幾種,工作頻率有400Hz、1kHz、2.5kHz、4kHz、8kHz幾種。
(2)中頻電源中三相全控整流橋的觸發(fā)器采用集脈沖形成、保護(hù)、功率放大、脈沖整形于一體的單一大板結(jié)構(gòu)(內(nèi)含逆變橋的脈沖產(chǎn)生與功放和調(diào)節(jié)器)。
(3)中頻電源中三相整流橋的晶閘管觸發(fā)器已從采用同步變壓器,需現(xiàn)場調(diào)試校正相序的控制模式向不用同步變壓器的具有相位自適應(yīng)功能的觸發(fā)器過渡。
(4)晶閘管中頻電源的啟動方式已從撞擊式啟動、零壓啟動、內(nèi)外橋轉(zhuǎn)換啟動過渡到掃頻啟動,其控制技術(shù)已從電壓或電流閉環(huán)調(diào)節(jié)進(jìn)步到恒功率控制,從而使中頻電源的控制效果更好,提高了中頻電源的使用效率。
(5)中頻電源用快速晶閘管的單管容量已達(dá)9~sO0A/2500Ⅴ,其最短關(guān)斷時間已達(dá)15u,與中頻電源配套的無感電阻高頻電容等制造技術(shù)得到了長足的進(jìn)步,為晶間管中頻電源的設(shè)計、制造提供了極大的方便。
(6)晶閘管中頻電源的零部件及配套件,如散熱器、熔斷器、電抗器、控制板,已標(biāo)準(zhǔn)化、系列化、批量生產(chǎn)化,給晶閘管中頻電源的制造商及維護(hù)人員帶來了極大的方便。
(7)MOsFET和IGBT等全控型功率半導(dǎo)體器件的容量已日益擴(kuò)大,與⒑BT及MOS-FET配套的驅(qū)動器和保護(hù)電路已系列化和標(biāo)準(zhǔn)化,給中頻和超音頻中頻電源的設(shè)計、制造奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。以IGBT和MOSFET為主功率器件的中頻電源,其單機(jī)容量在⒛0kW以內(nèi),置作頻率范圍基本上都為⒛~⒛0kHz,超過⒛kHz的中頻電源基本上都是采用M0⒊ET。但目前MOSFET的額定參數(shù)限制了中頻電源功率的提升,雖然可采用直接將MOsFET并聯(lián),或?qū)OSFET構(gòu)成逆變橋,再多個逆變橋并聯(lián)的方案,但卻使主電路和控制電路復(fù)雜,可靠性下降。為此采用ICBT和MOSFET為主功率器件的中頻電源,仍是需要進(jìn)一步研發(fā)的課題。
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