設(shè)定材料參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2017/1/9 21:23:52 訪問次數(shù):678
前面對冷屏實(shí)體標(biāo)識了材料名稱Cu,下面對Cu材料的具體物性參數(shù)進(jìn)行設(shè)置。單擊MC14584BDR2G菜單欄材料物性參數(shù)設(shè)置命令Model9Sct Material Properties,彈出如圖7.1.9所示的材料物性參數(shù)設(shè)置對話框。
對話框左側(cè)下方是數(shù)值單位的選擇,這里單位僅用于顯示此對話框中的參數(shù),對于模型中幾何參數(shù)的單位是在后述最后一步創(chuàng)建解算數(shù)據(jù)時(shí)設(shè)定。對話框左側(cè)框中單擊材料名稱Cu進(jìn)行參數(shù)設(shè)置。右側(cè)設(shè)置材料的電磁特性參數(shù),包括:磁導(dǎo)率選項(xiàng)Permmbility option§和電導(dǎo)率ConductMty。磁導(dǎo)率選項(xiàng)中可設(shè)置線性unear或非線性Nonlinear及其BH曲線;可設(shè)置各向同性Isotr°pic或各向異性Anis。tr°pic;對穩(wěn)態(tài)交流場還可以設(shè)置相位角Phase lag,本例無須設(shè)置磁導(dǎo)率選項(xiàng)。電導(dǎo)率可以設(shè)置各向異性Isotropic或各向同性
Anis°tropic,對穩(wěn)態(tài)交流場還可以設(shè)置相位角Phase lag。本例中設(shè)為各向同性Isotropic并在右側(cè)輸人圖示的電導(dǎo)率值,注意單位。最后選中Use surface I溢pedance,即考慮高頻電磁場下材料Cu的趨膚效應(yīng),Opera3D會自動對銅板實(shí)體表面進(jìn)行設(shè)置處理趨膚效應(yīng),從而 代替在厚度上加密銅板網(wǎng)格的方法,這里我們加載的交流場僅為100Hz,故不采用該功能。單擊OK按鈕返回主窗口。
前面對冷屏實(shí)體標(biāo)識了材料名稱Cu,下面對Cu材料的具體物性參數(shù)進(jìn)行設(shè)置。單擊MC14584BDR2G菜單欄材料物性參數(shù)設(shè)置命令Model9Sct Material Properties,彈出如圖7.1.9所示的材料物性參數(shù)設(shè)置對話框。
對話框左側(cè)下方是數(shù)值單位的選擇,這里單位僅用于顯示此對話框中的參數(shù),對于模型中幾何參數(shù)的單位是在后述最后一步創(chuàng)建解算數(shù)據(jù)時(shí)設(shè)定。對話框左側(cè)框中單擊材料名稱Cu進(jìn)行參數(shù)設(shè)置。右側(cè)設(shè)置材料的電磁特性參數(shù),包括:磁導(dǎo)率選項(xiàng)Permmbility option§和電導(dǎo)率ConductMty。磁導(dǎo)率選項(xiàng)中可設(shè)置線性unear或非線性Nonlinear及其BH曲線;可設(shè)置各向同性Isotr°pic或各向異性Anis。tr°pic;對穩(wěn)態(tài)交流場還可以設(shè)置相位角Phase lag,本例無須設(shè)置磁導(dǎo)率選項(xiàng)。電導(dǎo)率可以設(shè)置各向異性Isotropic或各向同性
Anis°tropic,對穩(wěn)態(tài)交流場還可以設(shè)置相位角Phase lag。本例中設(shè)為各向同性Isotropic并在右側(cè)輸人圖示的電導(dǎo)率值,注意單位。最后選中Use surface I溢pedance,即考慮高頻電磁場下材料Cu的趨膚效應(yīng),Opera3D會自動對銅板實(shí)體表面進(jìn)行設(shè)置處理趨膚效應(yīng),從而 代替在厚度上加密銅板網(wǎng)格的方法,這里我們加載的交流場僅為100Hz,故不采用該功能。單擊OK按鈕返回主窗口。
上一篇:解算模塊設(shè)置
熱門點(diǎn)擊
- CMOS集成電路的主要優(yōu)點(diǎn)
- 譯碼器及其應(yīng)用
- TTL與非門的主要參數(shù)
- 將三角波變成正弦波是經(jīng)過一個(gè)線性的變換網(wǎng)絡(luò)
- 學(xué)習(xí)數(shù)字電路中基本RS觸發(fā)器
- 集成運(yùn)放在模擬運(yùn)算方面的應(yīng)用
- 設(shè)置通信的網(wǎng)絡(luò)ID和信道
- 關(guān)于走燈( chase)的操作
- 解算數(shù)據(jù)生成設(shè)置對話框
- 波形存儲器
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- 650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
- 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先8英寸硅基氮化鎵技術(shù)工
- 新一代600V超級接面MOSFET KP38
- KEC 第三代SuperJunction M
- KEC半導(dǎo)體650V碳化硅(SiC)肖特基二
- Arrow Lake U 系列
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究