線段場(chǎng)值計(jì)算設(shè)置對(duì)話框
發(fā)布時(shí)間:2017/1/12 20:48:42 訪問(wèn)次數(shù):409
可以看出,鐵殼將其外的磁場(chǎng)降低了,起到了屏蔽作用。為了更明確地表現(xiàn)鐵殼起到了屏蔽通電導(dǎo)線段產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用,可以與電流場(chǎng)模型的解算結(jié)果比較。 MC74VHC1GT50DTT1這里采用查看一條直線上的磁場(chǎng)分布,opera3D對(duì)二維曲線上的場(chǎng)值顯示以二維坐標(biāo)圖表示。單擊工具欄的直線場(chǎng)值顯示命令按鈕{刀,彈出如圖7,2,43所示線段場(chǎng)值計(jì)算設(shè)置對(duì)話框。
在對(duì)話框中輸人自定義的場(chǎng)值寄存器Buffer的名稱,可采用默認(rèn);選擇沿r方向的直線,即與=軸平行的直線;該直線由起點(diǎn)Start和末點(diǎn)End定義°,給出起點(diǎn)的Y值和Z值,這里計(jì)算從鐵殼以外靠近鐵殼的點(diǎn)到遠(yuǎn)離鐵殼約9.5cm的直線區(qū)域;對(duì)話框底部需要輸人計(jì)算點(diǎn)個(gè)數(shù)Number of steps及要計(jì)算的場(chǎng)值類型,這里輸入磁場(chǎng)感應(yīng)強(qiáng)度的模Bmod;最后單擊計(jì)算和畫圖Evaluate and Plot按鈕,彈出二維坐標(biāo)圖窗口,如圖7.2。狃所示。
然后,打開(kāi)電流場(chǎng)模型的后處理文件EM_CU.op3。與前面操作類似,對(duì)于電流場(chǎng)模型計(jì)算磁場(chǎng),需要先設(shè)置計(jì)算方法為積分法,單擊菜單欄命令Options→Field CalculationMethod,彈出如圖7.2.鈣所示的對(duì)話框。
可以看出,鐵殼將其外的磁場(chǎng)降低了,起到了屏蔽作用。為了更明確地表現(xiàn)鐵殼起到了屏蔽通電導(dǎo)線段產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用,可以與電流場(chǎng)模型的解算結(jié)果比較。 MC74VHC1GT50DTT1這里采用查看一條直線上的磁場(chǎng)分布,opera3D對(duì)二維曲線上的場(chǎng)值顯示以二維坐標(biāo)圖表示。單擊工具欄的直線場(chǎng)值顯示命令按鈕{刀,彈出如圖7,2,43所示線段場(chǎng)值計(jì)算設(shè)置對(duì)話框。
在對(duì)話框中輸人自定義的場(chǎng)值寄存器Buffer的名稱,可采用默認(rèn);選擇沿r方向的直線,即與=軸平行的直線;該直線由起點(diǎn)Start和末點(diǎn)End定義°,給出起點(diǎn)的Y值和Z值,這里計(jì)算從鐵殼以外靠近鐵殼的點(diǎn)到遠(yuǎn)離鐵殼約9.5cm的直線區(qū)域;對(duì)話框底部需要輸人計(jì)算點(diǎn)個(gè)數(shù)Number of steps及要計(jì)算的場(chǎng)值類型,這里輸入磁場(chǎng)感應(yīng)強(qiáng)度的模Bmod;最后單擊計(jì)算和畫圖Evaluate and Plot按鈕,彈出二維坐標(biāo)圖窗口,如圖7.2。狃所示。
然后,打開(kāi)電流場(chǎng)模型的后處理文件EM_CU.op3。與前面操作類似,對(duì)于電流場(chǎng)模型計(jì)算磁場(chǎng),需要先設(shè)置計(jì)算方法為積分法,單擊菜單欄命令Options→Field CalculationMethod,彈出如圖7.2.鈣所示的對(duì)話框。
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