目前三元、四元合金的金屬膜電位器在很大程度上克服了上述缺點(diǎn),其阻值范圍可達(dá)10~⒛×1O3Ω、接觸電阻為2%,高頻達(dá)100MHz。 U4082B通常金屬膜電位器的高頻特性比線繞電位器和合成型電位器好。

   用真空蒸發(fā)法制成的鋁一氧化硅也可歸于金屬膜一類;這種電位器的阻值范圍比較寬(0,05~100kΩ),耐磨性和穩(wěn)定性均較好,溫度系數(shù)在阻值為5~6kΩ時(shí)接近0,低阻時(shí)呈正向變化、高阻時(shí)呈負(fù)向變化。

   氮化鉭膜電位器的電阻體是用微電子學(xué)中發(fā)展起來的反應(yīng)濺射法制成的;它以鉭金屬作為陰極,在具有適當(dāng)?shù)牡獨(dú)夥謮旱臍鍤鈼l件下進(jìn)行濺射,并通過適當(dāng)?shù)奶幚矶瞥�。氮化鉭膜電位器的特點(diǎn)是阻值范圍小(0.1~10kΩ);溫度系數(shù)較小(最小可達(dá)±0.25×1o6/℃);

穩(wěn)定性好(常溫常濕條件下放置1000h,阻值變化在0.05%以下);滑動(dòng)噪聲小(比碳合成膜或金屬玻璃釉電位器要小);高頻特性好(直流至80MHz時(shí),其阻值幾乎不變);可靠性和耐磨性好。