非常薄的MOS柵極氧化生長是高壓氧化工藝的候選。薄氧化層必須要結(jié)構(gòu)完整（沒有孔等）。 BCM1101BOKPB足夠強(qiáng)的電介質(zhì)可以防止在柵區(qū)的電荷積累。在高壓氧化中生成的柵極比在常壓時生成的柵極絕緣性強(qiáng)24、．高壓氧化1：藝也呵以解決在局部氧化中( LOCOS)產(chǎn)生的“鳥嘴”問題，見16.4.1節(jié)里的局部氧化隔離丁藝。圖7.26解釋了在MOS器件中不希望出現(xiàn)的“鳥嘴”長入了有源區(qū)。、高壓氧化可以將“鳥嘴”侵蝕進(jìn)器件的區(qū)域減到最小，并在LOCOS工藝中使場氧化層最薄25，、

   另外對于氧化來講，高壓系統(tǒng)也可以應(yīng)用于CVD外延沉積和晶圓表面的回流玻璃層這些領(lǐng)域中26；，這兩種工藝如果在低溫下形成，會得到很好的質(zhì)量。

   鳥嘴的生長。(a)無預(yù)刻蝕；(b)looo A預(yù)刻蝕；(C)2000 A預(yù)刻蝕（源白Ghandhi，VLSI Fabrir:ation, Prin,ciple．s）

   被用做氧化劑時，它由廠房設(shè)施供應(yīng)或由靠近氣體柜的壓縮氧氣罐供應(yīng)。氣體必須是干燥的，不能有水分。，氧氣中的水分可以加快氧化速度，使得氧化層厚度超出規(guī)定范圍（例如，out-of-spec】。干氧適合于MOS器件中非常薄的柵極氧化層（約為iooo A）。

   水汽氧化：給爐管供應(yīng)水蒸氣有好幾種方法。方法的選擇取決于厚度的要求和器件對氧化層潔凈度的要求。，

   氣泡發(fā)生器：歷史上，爐管中所需的水蒸氣由氣泡發(fā)生器產(chǎn)生。它是具有加熱器和保持去離子水( DI)被加熱到接近沸點(98℃~99℃)的容器，這樣在面的空間產(chǎn)生水蒸氣。攜帶氣體帶著水氣進(jìn)入加熱的爐管，在那里它變成水蒸氣。（氧化氣泡發(fā)生器與在第1 1章描述的液態(tài)摻雜劑氣泡發(fā)生器結(jié)構(gòu)相同。）

   氣泡發(fā)生器的主要缺點是當(dāng)控制水蒸氣進(jìn)入爐管時，會使液面變化并引起水溫的波動。氣泡發(fā)生器中由于臟水和脫落物導(dǎo)致污染爐管和氧化層的問題，永遠(yuǎn)是個問題。這個問題由于定期打開系統(tǒng)補(bǔ)充水而變得更加嚴(yán)重。