除了顆粒和污點(diǎn)的物理污染以外，氧化膜應(yīng)該將可移動(dòng)離子污染量減到最小。這些叮BCM4401KQLG以用復(fù)雜的電容一電壓( C/V)技術(shù)來檢測，這種技術(shù)檢測氧化層中可移動(dòng)離子的總數(shù)，但它不能確定這些污染的來源，這螳污染也許來自爐管、氣體、晶圓或清洗工藝。因此，C/V分析僅是一個(gè)晶圓合格／不合格的指標(biāo)，是對整個(gè)爐管操作的檢驗(yàn)。

   在大多數(shù)制造生產(chǎn)線上，C/V分析也用來確認(rèn)爐管及相關(guān)部件的潔凈度。一個(gè)低的可移動(dòng)離子污染的氧化膜意味著整個(gè)系統(tǒng)是潔凈的。當(dāng)氧化膜不能通過這一測驗(yàn)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)j需要進(jìn)一步調(diào)查來確定其污染來源，，

   第二個(gè)與氧化膜清潔有關(guān)的參數(shù)是介電強(qiáng)度。這一參數(shù)通過對氧化層的破壞性測試來測量氧化層的介電特性（非導(dǎo)電）．，

   第三個(gè)潔凈度因素是氧化層的折射率。折射是光線通過透明物質(zhì)時(shí)產(chǎn)生的彎曲現(xiàn)象∥一種物體的底部在水中的實(shí)際位置與其外觀L_看到的位置不同就是一個(gè)典型的例子。純氧化膜的折射率是1. 46。這一數(shù)值的變化反映了氧化層不純的程度。折射率常數(shù)是許多應(yīng)用干涉原理測量厚度技術(shù)的基礎(chǔ)。參數(shù)的變化會(huì)導(dǎo)致錯(cuò)的測量結(jié)果。折射率用干涉祁橢圓偏光法技術(shù)來測量（見第14章）。

   不同氧化工藝的組成可以安排成一個(gè)組合形式( cluster arrangement)（見第15章）。