縱觀我國(guó)感應(yīng)加熱用中頻電源的發(fā)展歷史,可把其ICL7662CBD 發(fā)展概括為⒛世紀(jì)⒛年代的開發(fā)研究期、SO年代的成熟應(yīng)用期、⒛年代的大范圍推廣期和⒛世紀(jì)末期的提高性能期。

   (1)⒛世紀(jì)⒛年代為眾多單位參與的開發(fā)研究期。我國(guó)應(yīng)用電力半導(dǎo)體器件研制感應(yīng)加熱用中頻電源的歷史可追溯到⒛世紀(jì)⒛年代,1963年我國(guó)第一只晶閘管問世,在19⒛年我國(guó)開發(fā)出了快速晶閘管,1972年我國(guó)許多單位都開始了晶閘管中頻電源的研究。這個(gè)時(shí)期應(yīng)用的核心器件為快速晶問管,其控制電路為由眾多分立元器件構(gòu)成的多塊控制板組成的插件箱結(jié)構(gòu)。同時(shí),由于晶閘管制作工藝技術(shù)的限制,決定了主電路結(jié)構(gòu),快速晶閘管的阻斷耐壓不夠高,由兩只或三只晶閘管串聯(lián)構(gòu)成逆變橋臂,所應(yīng)用的快速晶閘管的數(shù)量為8只或12只,因而晶間管需要采用均壓網(wǎng)絡(luò)。由于這個(gè)時(shí)期晶問管的關(guān)斷時(shí)間不能太短,所以決定了中頻電源的輸出頻率不高;又因?yàn)檫@個(gè)時(shí)期快速晶閘管的動(dòng)態(tài)參數(shù)dzr/d莎和dj/d莎不是很高,導(dǎo)致了系統(tǒng)中限制dlt/dr及dj/d莎的網(wǎng)絡(luò)龐大而復(fù)雜。在此階段由于整個(gè)晶間管可靠性還很不理想,決定了這一階段中頻電源多是實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品,在工業(yè)中應(yīng)用很少。

   (2)⒛世紀(jì)⒛年代的成熟應(yīng)用期。到1980年以后,由于國(guó)產(chǎn)晶閘管制造工藝的長(zhǎng)足進(jìn)步及技術(shù)引進(jìn),其可靠性獲得了很大的進(jìn)步,因而中頻電源逐步從實(shí)驗(yàn)室進(jìn)人了工業(yè)生產(chǎn)實(shí)際應(yīng)用中。這一時(shí)期的晶問管中頻電源逆變橋已逐步從多只快速晶閘管串聯(lián)向單只晶

閘管過(guò)渡,但輸出工作頻率仍然不是很高,多在2.5kHz以下,要獲得4kHz或8kHz的輸出頻率仍不得不使用倍頻等復(fù)雜控制技術(shù)。