光刻蝕T藝是和照相、蠟紙印刷比較接近的一種多步驟的圖形轉(zhuǎn)移過程。開始將AD8032ARZ一個電路的設計轉(zhuǎn)化為器件和電路的各個部分的3個維度，、接下來繪出X．Y（表面）的尺寸、形狀和表面對準的復合圖。然后將復合圖分割成單獨掩模層（一套掩模）。這個電子信息被加載到圖形發(fā)生器中。來自圖形發(fā)生器( pattern generator)的信息又被用來制造放大掩模版( reticle)和光刻掩模版(photomask)�；蛘咝畔⒖梢则�(qū)動曝光和對準設備來直接將圖形轉(zhuǎn)移到晶圓.

   。它們是：

   1．復制在一塊石英板( reticle)E鉻層的芯片專門層的圖形。二依次使用reticle來產(chǎn)生一個攜帶用于整個晶圓圖形的光拖模（見圖4. 13）。

   2．reticle可以使用步進光刻機(stepper)，直接用于晶圓表面層的圖形（見第10章）。

   3．在圖形發(fā)生器中的電路層的信息（尺寸、形狀和對準等）可以直接用于導引電子束或其他源到晶片表面( direct write-)（見第10章）。

   這里描述的十步基本圖形化工藝在對準和曝光步驟使用放大掩模版或光刻掩模版。，圖形轉(zhuǎn)移是通過兩步來完成的。首先，圖形被轉(zhuǎn)移到光刻膠層。光刻膠類似膠卷上所涂的感光物質(zhì)。曝光后會導致它自身性質(zhì)和結構的變化。光刻膠被曝光的部分由可溶性物質(zhì)變成了非溶性物質(zhì)。這種光刻膠類型被稱為負膠( negative acting)，這種化學變化稱為聚合( polymerization)。通過化學溶劑（顯影劑）把可以溶解的部分去掉，就會在光刻膠層留下一個孔，這個孑L和掩模版或光刻母版不透光的部分相對應。