圖形化工藝是要在晶圓內(nèi)和表面層建立圖形的一系列加工，這些圖形根據(jù)集成電路中物理“部件”（器件）的要求來確定其尺寸和位置。 AD8018AR-REEL7這一章介紹‘步基本圖形化工藝流程的前4步，并討論光刻膠的化學性質(zhì)。

   圖形化工藝還包括光刻( Photolithography)、光掩模(Photomasking)、掩模(Masking)、去除氧化膜( Oxide Removal，OR)、去除金屬膜(Metal Removal，MR)和微光刻(Microlithography)、，圖形化工藝是半導體工藝過程中最重要的工序之一，它是用來在不同的器件和電路表面仁建立圖形的工藝過程。這個工藝過程的目標有兩個：

   1．在晶圓中和表面上產(chǎn)生圖形，這些圖形的尺寸在集成電路或器件設計階段建立．

   2．將電路圖形相對于晶圓的晶向及以所有層的部分對準的方式，正確地定位于晶圓上。

   除了兩個結果外，有許多工藝變化�；蛘呦薅ňA表面層被去除部分（孔），或者限定晶圓表面層留下部分（島）。

   正確的放置彼稱為各種電路圖形的對準( Alignment)或注冊(Registration)。一種集成電路工藝要求40個以上獨立的光刻（或掩模）步驟。圖形定位的要求就好像是一幢建筑物每一層之間所要求的正確對準。