交流參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2017/2/9 21:21:15 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):674
(l)共射極交流放大系數(shù)
它是指在共發(fā)射極電路中,集電極電流Ⅰc與基極輸人電流Ⅰb的變化量之比,即: H57V1262GTR-60C若晶體管工作于放大區(qū),因此電路中的晶體管放大系數(shù)一律用表示。晶體管的`通常為10~200,若`過(guò)小則表明晶體管的電流放大能力差,但`過(guò)大的晶體管往往伴有穩(wěn)定性較差的問(wèn)題。
(2)共基極交流放大系數(shù)
它是指在共基極電路中,輸出電流Jc與發(fā)射極輸入電流Ⅰe的變化量之比,即: 從兩個(gè)方面反映晶體管放大性能的參數(shù),二者之間的關(guān)系為: 例如,某一只晶體管的共發(fā)射極交流放大系數(shù)為`=100,則其共基極交流放大系數(shù)為α=100/(1+100)≈0,99。
(3)特征頻率
由于載流子在基區(qū)的渡越時(shí)間和晶體管極間電容的影響,Ⅱ會(huì)隨著信號(hào)頻率的升高而降低,且頻率越高`下降得越嚴(yán)重。因此,特征頻率/T是指`下降至l時(shí)的頻率;也就是說(shuō),當(dāng)頻率升高至∫T時(shí),晶體管即會(huì)失去了電流放大能力;rT的大小反映了晶體管頻率特性的 好壞。在高頻電路中,推薦選用∫T較高的晶體管,∫T應(yīng)比電路工作頻率高出3倍以上。此外,可反映晶體管頻率特性好壞的參數(shù)還有激光頭極間電容和其他頻率特性參數(shù),如共發(fā)射極截止頻率r`(即`下降至低頻的70.7%時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率)、rM(最高I作頻率)、Fα等(`/′α為共基極接法時(shí)α下降至低頻工作的70,7%使的頻率,亦稱(chēng)為共基極截止頻率)。
(l)共射極交流放大系數(shù)
它是指在共發(fā)射極電路中,集電極電流Ⅰc與基極輸人電流Ⅰb的變化量之比,即: H57V1262GTR-60C若晶體管工作于放大區(qū),因此電路中的晶體管放大系數(shù)一律用表示。晶體管的`通常為10~200,若`過(guò)小則表明晶體管的電流放大能力差,但`過(guò)大的晶體管往往伴有穩(wěn)定性較差的問(wèn)題。
(2)共基極交流放大系數(shù)
它是指在共基極電路中,輸出電流Jc與發(fā)射極輸入電流Ⅰe的變化量之比,即: 從兩個(gè)方面反映晶體管放大性能的參數(shù),二者之間的關(guān)系為: 例如,某一只晶體管的共發(fā)射極交流放大系數(shù)為`=100,則其共基極交流放大系數(shù)為α=100/(1+100)≈0,99。
(3)特征頻率
由于載流子在基區(qū)的渡越時(shí)間和晶體管極間電容的影響,Ⅱ會(huì)隨著信號(hào)頻率的升高而降低,且頻率越高`下降得越嚴(yán)重。因此,特征頻率/T是指`下降至l時(shí)的頻率;也就是說(shuō),當(dāng)頻率升高至∫T時(shí),晶體管即會(huì)失去了電流放大能力;rT的大小反映了晶體管頻率特性的 好壞。在高頻電路中,推薦選用∫T較高的晶體管,∫T應(yīng)比電路工作頻率高出3倍以上。此外,可反映晶體管頻率特性好壞的參數(shù)還有激光頭極間電容和其他頻率特性參數(shù),如共發(fā)射極截止頻率r`(即`下降至低頻的70.7%時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率)、rM(最高I作頻率)、Fα等(`/′α為共基極接法時(shí)α下降至低頻工作的70,7%使的頻率,亦稱(chēng)為共基極截止頻率)。
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