判斷中、小功率晶體管性能好壞的具體方法是采用專門的測(cè)量?jī)x器(如JT1晶體管特性圖示儀)進(jìn)行檢測(cè)判斷,若無(wú)法獲得專門的測(cè)量?jī)x器,則以萬(wàn)用表亦可粗略地判斷中、 HCPL-2531-000E小功率晶體管性能的好壞。

   (1)晶體管性能好壞的檢測(cè)

   ①測(cè)量極間電阻。通過(guò)測(cè)量中、小功率晶體管極間電阻的大小,可判別晶體管內(nèi)部是否存在短路、斷路故障;其方法是將萬(wàn)用表置于R×1k擋位或R×100擋位,測(cè)量晶體管的基極與集電極之間的正向電阻與反向電阻值以及基極與發(fā)射極之間的正向電阻和反向電

阻值。

   ②對(duì)于正常的中、小功率晶體管,其正向電阻值為幾百至幾千歐姆、反向電阻值則在幾百千歐姆以上;無(wú)論是正向電阻還是反向電阻,硅材料晶體管均比鍺材料晶體管的極間電阻大。

   若正向電阻測(cè)量值接近于∞,則表明該晶體管內(nèi)部存在斷路故障;若反向電阻測(cè)量值很小或?yàn)?,則表明該晶體管已經(jīng)被擊穿或存在短路故障。

   ③在檢測(cè)小功率晶體管時(shí),應(yīng)將萬(wàn)用表置于R×1k擋位或R×100擋位,而嚴(yán)禁使用R×10k擋位或R×1擋位;這是囚為前兩個(gè)擋位的電流較大、而后兩個(gè)擋位的電壓較高、易造成晶體管的損壞。