達(dá)林頓晶體管的檢測(cè)方法
發(fā)布時(shí)間:2017/2/10 20:16:51 訪問次數(shù):449
(1)普通型達(dá)林頓晶體管的檢測(cè)
普通型達(dá)林頓晶體管性能質(zhì)量的檢測(cè)方M29W160ET70N6法與普通晶體管的檢測(cè)方法基本一致:即首先準(zhǔn)萬用表置于R×10k擋位。
①若管型為PNP時(shí),測(cè)量基極與發(fā)射極之間的正、反向電阻值,正向電阻值通常為5~30kΩ,反向電阻值為∞;壩刂量基極與集電極之問的正、反向電阻值,正向電阻值通常為10kΩ,反向電阻值為∞;測(cè)量集電極與發(fā)射極之間的電阻值,通常該阻值應(yīng)接近于∞。
上述測(cè)量過程中,若基極與發(fā)射極之間、基極與集電極之間的正、反向電阻或集電極與發(fā)射極之間的電阻測(cè)量值為0或接近于0,則表明該達(dá)林頓晶體管已經(jīng)被擊穿損壞;若基極與發(fā)射極之間、基極與集電極之間的正向電阻值為∞,則表明該達(dá)林頓晶體管已存在開路故障。
②管型為NPN時(shí),將紅、黑表筆對(duì)調(diào),重復(fù)上述方法與步驟,即可測(cè)出NPN型達(dá)林頓管的性能質(zhì)量。
(2)大功率達(dá)林頓晶體管的檢測(cè)
由圖645可知,這類晶體管在集電極與發(fā)射極之間反向接入并附加接人一支過電壓保護(hù)二極管(續(xù)流二極管),以確保晶體管不被擊穿;在VT1和VT2的發(fā)射結(jié)上分別并聯(lián)電阻l和R2,其作用是為漏電流提高泄放支路。由于達(dá)林頓晶體管接人了VD、R1和R2等保護(hù)和泄漏電流的元器件,故檢測(cè)時(shí)應(yīng)重點(diǎn)考慮上述元器件對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的影響。
(1)普通型達(dá)林頓晶體管的檢測(cè)
普通型達(dá)林頓晶體管性能質(zhì)量的檢測(cè)方M29W160ET70N6法與普通晶體管的檢測(cè)方法基本一致:即首先準(zhǔn)萬用表置于R×10k擋位。
①若管型為PNP時(shí),測(cè)量基極與發(fā)射極之間的正、反向電阻值,正向電阻值通常為5~30kΩ,反向電阻值為∞;壩刂量基極與集電極之問的正、反向電阻值,正向電阻值通常為10kΩ,反向電阻值為∞;測(cè)量集電極與發(fā)射極之間的電阻值,通常該阻值應(yīng)接近于∞。
上述測(cè)量過程中,若基極與發(fā)射極之間、基極與集電極之間的正、反向電阻或集電極與發(fā)射極之間的電阻測(cè)量值為0或接近于0,則表明該達(dá)林頓晶體管已經(jīng)被擊穿損壞;若基極與發(fā)射極之間、基極與集電極之間的正向電阻值為∞,則表明該達(dá)林頓晶體管已存在開路故障。
②管型為NPN時(shí),將紅、黑表筆對(duì)調(diào),重復(fù)上述方法與步驟,即可測(cè)出NPN型達(dá)林頓管的性能質(zhì)量。
(2)大功率達(dá)林頓晶體管的檢測(cè)
由圖645可知,這類晶體管在集電極與發(fā)射極之間反向接入并附加接人一支過電壓保護(hù)二極管(續(xù)流二極管),以確保晶體管不被擊穿;在VT1和VT2的發(fā)射結(jié)上分別并聯(lián)電阻l和R2,其作用是為漏電流提高泄放支路。由于達(dá)林頓晶體管接人了VD、R1和R2等保護(hù)和泄漏電流的元器件,故檢測(cè)時(shí)應(yīng)重點(diǎn)考慮上述元器件對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的影響。
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