(1)普通型達林頓晶體管的檢測

   普通型達林頓晶體管性能質(zhì)量的檢測方M29W160ET70N6法與普通晶體管的檢測方法基本一致:即首先準萬用表置于R×10k擋位。

   ①若管型為PNP時,測量基極與發(fā)射極之間的正、反向電阻值,正向電阻值通常為5~30kΩ,反向電阻值為∞;壩刂量基極與集電極之問的正、反向電阻值,正向電阻值通常為10kΩ,反向電阻值為∞;測量集電極與發(fā)射極之間的電阻值,通常該阻值應接近于∞。

   上述測量過程中,若基極與發(fā)射極之間、基極與集電極之間的正、反向電阻或集電極與發(fā)射極之間的電阻測量值為0或接近于0,則表明該達林頓晶體管已經(jīng)被擊穿損壞;若基極與發(fā)射極之間、基極與集電極之間的正向電阻值為∞,則表明該達林頓晶體管已存在開路故障。

   ②管型為NPN時,將紅、黑表筆對調(diào),重復上述方法與步驟,即可測出NPN型達林頓管的性能質(zhì)量。

   (2)大功率達林頓晶體管的檢測

   由圖645可知,這類晶體管在集電極與發(fā)射極之間反向接入并附加接人一支過電壓保護二極管(續(xù)流二極管),以確保晶體管不被擊穿;在VT1和VT2的發(fā)射結(jié)上分別并聯(lián)電阻l和R2,其作用是為漏電流提高泄放支路。由于達林頓晶體管接人了VD、R1和R2等保護和泄漏電流的元器件,故檢測時應重點考慮上述元器件對測量數(shù)據(jù)的影響。