(1)開啟電壓UT

   UT是M(E增強(qiáng)型場效應(yīng)管的重要參數(shù)之一,若柵-源電壓UGs小于σT,則場效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。

   trGs>0時(shí),柵極與HD100160襯底之間會(huì)形成一個(gè)垂直于半導(dǎo)體表面、由柵極G指向襯底的電場;該電場的作用在于排斥P型襯底中的空穴、吸引電子移動(dòng)至表面層。若⒒亠s增加至某一固定值,則絕緣體和P型襯底的交界面附近會(huì)積累較多的電子而形成N型薄層,被稱為N 型反型層;該反型層使漏極與源極之間形成一條由電子構(gòu)成的導(dǎo)電溝道,施加L「(:之后則會(huì)有漏極電流ⅠD流經(jīng)該溝道。通常將剛剛出現(xiàn)rD時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓,以UT(thl或LrT表示。

   (2)夾斷電壓UP

   σDs為某一固定值(如10V)并使JD等于某一微小電流(如50mA)時(shí),柵一源極之間所施加的電壓即是夾斷電壓;若uGs=LJP,貝刂rD=o。

   (3)飽和漏極電流UP

   它是指在LJGs=0時(shí),場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷的漏極電流;rDss是結(jié)型場效應(yīng)管所能輸出的最大電流。

   (4)直流輸入電阻R∞

   它是指在漏-源極間短路、且柵一源極間施加一定電壓時(shí),柵-源極之間的直流電阻,即柵-源極間的等效電阻。結(jié)型場效應(yīng)管的R“通常大于107Ω;而MOS型場效應(yīng)管的R()s可達(dá)109~1015Ω(因?yàn)镸OS型管的柵-源極間具有⒏02絕緣層)。