日本日立化成工業(yè)近日宣布，已經(jīng)確立了可穩(wěn)定供應半導體制造使用的光刻鏡頭(lithography lens)用氟化鈣(CaF2)單晶的制造技術(shù)。氟化鈣對于用來提高半導體制造工藝的鏡頭是不可缺少的材料。新技術(shù)能夠以約2倍于原來的效率進行氟化鈣生產(chǎn)。

隨著制造工藝向90nm過渡，半導體光刻的激光光源已由過去的氪氟(KrF)變成氬氟(ArF)，波長越來越短。而鏡頭也必須隨之由過去的人造石英，改而采用在真空紫外線區(qū)域透過率更好的氟化鈣單晶。

但是，在氟化鈣單晶制造中常用的真空布里奇曼法雖說設(shè)備簡單，結(jié)晶易于大尺寸化，卻存在易于多晶化，大尺寸單晶制造難度大等問題。日立化成工業(yè)通過運用PET(陽電子放射斷層攝影)設(shè)備用GSO單晶開發(fā)中采用的技術(shù)，對真空布里奇曼法進行改進后，解決了上述問題。將過去約50%的成品率提高到了約95%。

另外，半導體光刻鏡頭必須使用2種晶向(crystal orientation)的鏡頭，但過去很難控制結(jié)晶的成長取向，而現(xiàn)在則可以了。由此就能提高生產(chǎn)效率。該公司將于2005年度開始提供大尺寸單晶，預計2007年度的銷售額將達30億日元(約合人民幣2.3億元)。

(轉(zhuǎn)自 中國半導體行業(yè)網(wǎng))