光電池的主要特性參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2017/2/22 22:02:05 訪問次數(shù):2784
光電池的主要特性參數(shù)
①開路電壓1JOc 有光照射時(shí), CSD87350Q5D將高內(nèi)阻的直流毫伏表接人光電池的兩極,此時(shí)測出的電壓即是開路電壓;通常硅光電池的開路電壓為450~600mV。
②短路電流ⅠsR 有光照時(shí),將一只低內(nèi)阻的電流表接入光電池的兩極,此時(shí)測出的電流即是短路電流;IsR與光強(qiáng)度、電池面積和受光面積成正比。
③轉(zhuǎn)換效率叩 單位面積光電池的最大輸出功率與垂直人射到光電池表面上的人射光功率之比;硅光電池的轉(zhuǎn)換效率通常是6%~10%。
④響應(yīng)速度 光電池對突變光照的反應(yīng)速度。
⑤輸出特性 光電池的輸出電壓、輸出電流、輸出功率隨負(fù)載變化而變化的特性。
電池的種類
實(shí)際應(yīng)用中,電池的類型大致可分為化學(xué)電池和物理電池兩大類。其中,化學(xué)電池通過化學(xué)反應(yīng)轉(zhuǎn)換為電能,它的應(yīng)用最多也最為普遍,常見的如鋅錳干電池、氧化銀電池、水銀電池、鋰電池、鎘鎳電池、鉛蓄電池等。物理電池則通過光或熱轉(zhuǎn)換為電能,常見的如硅光電池。
光電池的主要特性參數(shù)
①開路電壓1JOc 有光照射時(shí), CSD87350Q5D將高內(nèi)阻的直流毫伏表接人光電池的兩極,此時(shí)測出的電壓即是開路電壓;通常硅光電池的開路電壓為450~600mV。
②短路電流ⅠsR 有光照時(shí),將一只低內(nèi)阻的電流表接入光電池的兩極,此時(shí)測出的電流即是短路電流;IsR與光強(qiáng)度、電池面積和受光面積成正比。
③轉(zhuǎn)換效率叩 單位面積光電池的最大輸出功率與垂直人射到光電池表面上的人射光功率之比;硅光電池的轉(zhuǎn)換效率通常是6%~10%。
④響應(yīng)速度 光電池對突變光照的反應(yīng)速度。
⑤輸出特性 光電池的輸出電壓、輸出電流、輸出功率隨負(fù)載變化而變化的特性。
電池的種類
實(shí)際應(yīng)用中,電池的類型大致可分為化學(xué)電池和物理電池兩大類。其中,化學(xué)電池通過化學(xué)反應(yīng)轉(zhuǎn)換為電能,它的應(yīng)用最多也最為普遍,常見的如鋅錳干電池、氧化銀電池、水銀電池、鋰電池、鎘鎳電池、鉛蓄電池等。物理電池則通過光或熱轉(zhuǎn)換為電能,常見的如硅光電池。
上一篇:干電池的主要特性參數(shù)
上一篇:電池的選用方法
熱門點(diǎn)擊
- 流動(dòng)燈光是采用流動(dòng)的照明方式
- 電視信號(hào)發(fā)生器
- 光電池的主要特性參數(shù)
- 集電極最大允許電流
- 硅光電池的主要作用是將光能轉(zhuǎn)換為電能
- 靈敏度分析
- 復(fù)合管與孿生管
- 回旋管
- 光敏二極管性能好壞的檢測
- 掌握負(fù)反饋放大電路頻率特性的測試方法
推薦技術(shù)資料
- 首款集成 Bal
- 第二代4納米系統(tǒng)
- 集成低壓硅基MOSFET應(yīng)用詳
- 高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換&
- 新型高壓650V GaN FE
- 低噪聲 μModule DC/DC 轉(zhuǎn)換器技
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究