電磁兼容測量
發(fā)布時(shí)間:2017/2/24 21:39:49 訪問次數(shù):559
電磁兼容測量包括測量設(shè)備、測量方法、數(shù)據(jù)處理方法及測量結(jié)果的評價(jià)等。 IP4283CZ10-TBR由于上述的電磁兼容問題的復(fù)雜性,理論上的結(jié)果往往與實(shí)際相距較遠(yuǎn),因而使得電磁兼容測量顯得更為重要。美國肯塔基大學(xué)的帕爾博士曾說過“在判定最后結(jié)果方面,也許沒有任何其他學(xué)科像電磁兼容那樣更依賴于測量!
由于電磁騷擾源在頻域與時(shí)域特性的復(fù)雜性,為了各個(gè)國家、各個(gè)實(shí)驗(yàn)室測量結(jié)果之間的可比性,必須詳細(xì)規(guī)定測量儀器的各方面指標(biāo)。在此還應(yīng)明確一點(diǎn):當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)中采用的表征電磁噪聲電平的參數(shù)(如峰值、準(zhǔn)峰值、有效值、平均值),都是用等效于某一個(gè)特定參數(shù)的正弦信號定標(biāo)的,即測量得到的電磁噪聲電平等效于某個(gè)正弦信號的電平。
電磁兼容測量包括測量設(shè)備、測量方法、數(shù)據(jù)處理方法及測量結(jié)果的評價(jià)等。 IP4283CZ10-TBR由于上述的電磁兼容問題的復(fù)雜性,理論上的結(jié)果往往與實(shí)際相距較遠(yuǎn),因而使得電磁兼容測量顯得更為重要。美國肯塔基大學(xué)的帕爾博士曾說過“在判定最后結(jié)果方面,也許沒有任何其他學(xué)科像電磁兼容那樣更依賴于測量!
由于電磁騷擾源在頻域與時(shí)域特性的復(fù)雜性,為了各個(gè)國家、各個(gè)實(shí)驗(yàn)室測量結(jié)果之間的可比性,必須詳細(xì)規(guī)定測量儀器的各方面指標(biāo)。在此還應(yīng)明確一點(diǎn):當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)中采用的表征電磁噪聲電平的參數(shù)(如峰值、準(zhǔn)峰值、有效值、平均值),都是用等效于某一個(gè)特定參數(shù)的正弦信號定標(biāo)的,即測量得到的電磁噪聲電平等效于某個(gè)正弦信號的電平。
熱門點(diǎn)擊
- 壓斷路器按照結(jié)構(gòu)型式分為框架式和塑料外殼式兩
- 穩(wěn)壓二極管在穩(wěn)壓范圍內(nèi)的工作電流被稱為穩(wěn)定電
- 繪制各類比較器的傳輸特性曲線
- 開啟式負(fù)荷開關(guān)俗稱膠蓋刀開關(guān)
- 干電池的主要特性參數(shù)
- 推拉開關(guān)
- 光電探測器輸出的光電流/的大小
- 超高頻三極管(微波三極管)
- 晶體管特性測試儀
- 針孔是光刻膠層尺寸非常小的空洞
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時(shí)實(shí)現(xiàn)時(shí)域和頻域分析,DS... [詳細(xì)]
- RA Arm Cortex-M
- 110V, 75A RMS集成
- 微型C語言可編程處理器技術(shù)參數(shù)
- iNEMO系統(tǒng)級封裝 (SiP
- 首款 EVC 技術(shù)ST31N
- 嵌入式Flash技術(shù)制造ST54L芯片
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究