化學(xué)機械拋光( CMP)：一種使晶體平坦和拋光的工藝。將化學(xué)去除和機械拋光結(jié)合到一起， ADC11DS105CISQE+用于晶體生長后的晶圓磨平拋光和晶圓制造工藝過程中的平垣化。

    芯片( chip)：芯片或器件  晶圓1：單個的集成電路或分立器件。芯片尺寸封裝( chip scale package)：與芯片尺寸相當(dāng)?shù)男酒庋b形式．鉻(Cr)：掩模版制造中的常用金屬．用來做生成電路圖形的薄層電路板（circuit board）：參見印制電路板。

   電路布局( circuit layout)：為產(chǎn)生需要的電學(xué)參數(shù)而做的關(guān)于物理器件尺寸的計算，垂自尺 度決定【：VI）和摻雜層厚度的規(guī)范；水平尺度決定晶圓圖形的尺度，并作為最終電路的比例繪斟（復(fù)合繪圖）的基礎(chǔ)。

   凈化度( class number)：在  、’，^方英尺窄氣中污染物微粒的數(shù)量凈化間( clean room)：半導(dǎo)體器件制備的區(qū)域。室內(nèi)的潔凈度高度受控，以限制半導(dǎo)體町能接觸到的污染物的數(shù)量，

   亮場掩模版( clear field mask)：-種掩模版，其上的圖形由不透明區(qū)域決定。集簇設(shè)備( cluster tool)：幾個I：藝機臺或設(shè)備共用同一加載一卸載室和晶圓傳送系統(tǒng)，互補型場效應(yīng)晶體管( CMOS)：N型和P型溝道MOS晶體管在同一芯片、集電極(collector)：與基區(qū)和發(fā)射區(qū)一起作為雙極型晶體管的重要區(qū)域，．

   平行光束( collimated light)：光線平行的光束，用于表面觀察．，復(fù)合圖( composite drawing)：最終電路的比例繪圖。

電導(dǎo)性( conductivity)：材料傳導(dǎo)電荷的能力（電導(dǎo)率以西門子單位，電阻以歐姆為單位）導(dǎo)體( conductor)：具有低電阻和高電導(dǎo)率的材料。，