亮場掩模版( clear field mask)：-種掩模版，其上的圖形由不透明區(qū)域決定。ADC12762CCV集簇設(shè)備( cluster tool)：幾個(gè)I：藝機(jī)臺(tái)或設(shè)備共用同一加載一卸載室和晶圓傳送系統(tǒng)，互補(bǔ)型場效應(yīng)晶體管( CMOS)：N型和P型溝道MOS晶體管在同一芯片、集電極( collector)：與基區(qū)和發(fā)射區(qū)一起作為雙極型晶體管的重要區(qū)域，平行光束( collimated light)：光線平行的光束，用于表面觀察．復(fù)合圖( composite drawing)：最終電路的比例繪圖。

   電導(dǎo)性( conductivity)：材料傳導(dǎo)電荷的能力（電導(dǎo)率以西門子為單位，電阻以歐姆為單位）導(dǎo)體( conductor)：具有低電阻和高電導(dǎo)率的材料。接觸( contact)：任金屬化過程中被重新覆蓋暴露的硅區(qū)域，形成到器件的電通路．接觸式光刻機(jī)( contact aligner)：一種對(duì)準(zhǔn)設(shè)備，在光刻膠曝光前將晶圓和模板夾緊接觸接觸式掩模版( contact mask)：在晶圓表面層七開孔，以允許屬層達(dá)到摻雜硅的襯底，污染物( contamination)：通用術(shù)語，用來描述任何不期望有的材料．對(duì)半導(dǎo)體晶圓的物理和電學(xué)特性均有不良影響。

   銅(Cu)：用于連接芯片表面1--半導(dǎo)體器件的金屬。一般在雙大馬上草圖形化-T藝中使用關(guān)鍵尺寸(CD)：關(guān)鍵電路圖形的線寬、間距寬度以及接觸區(qū)的尺寸，低溫泵（cryogenic pump）：一種真空泵�？梢蕴峁�10。10托的真空，同太率的真'率水f相M無須前級(jí)泵或冷阱，并且比其他類型的泵更快。

   低溫晶圓清洗( cryogenic wafer cleaning)：使用“雪態(tài)”(SNOW)高壓二氧化碳(C()!)清洗F玉圓表面的技術(shù)。

   晶體（cr}tstal）：原子有序排列的材料，其結(jié)構(gòu)化的單元稱為晶胞．、 晶體缺陷( crystal defect)：晶體中的窄位和錯(cuò)位，會(huì)影響電路的電性晶向( cr}tstal orientation)：主晶面的法向，用密勒指數(shù)表示、晶面( cr}tstal planes)：半導(dǎo)體品格結(jié)構(gòu)中的平面。芯片必須沿著該平面排列，以防止當(dāng)晶吲被分割成單個(gè)芯片時(shí)出現(xiàn)“粗糙”的芯片邊緣.