如果在硅晶體中同時存在施主和受主兩種雜質(zhì),這時硅的導電類型要由雜質(zhì)濃度高的那種雜質(zhì)決定。例如,硅晶體中同時存在磷和硼,而磷的濃度高于硼, GD75232DBR那么這塊硅晶體就表現(xiàn)為n型的。不過要注意的是導帶中的電子濃度并不等于磷雜質(zhì)濃度,因為電離的電子首先要填充受主,余下的才能發(fā)射到導帶。這種不同類型雜質(zhì)引起半導體導電能力相互抵消的現(xiàn)象,稱為雜質(zhì)補償。硅晶體中受主或施主雜質(zhì)電離能與禁帶寬度相比都非常小,這類雜質(zhì)所形成的能級在硅禁帶中很接近導帶底能級或價帶頂能級,稱這樣的雜質(zhì)為淺能級雜質(zhì)。淺能級雜質(zhì)在室溫時基本全部電離,具有電活性,對硅晶體電學性質(zhì)有著重要的影響。

   硅晶體中除有意摻人的Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)外,一些有特殊作用的貴金屬也被摻人。例如,金在硅中是作為一種載流子壽命控制雜質(zhì),在藝上頗為重要,如在高速電路中經(jīng)常被用來降低硅的載流子壽命。金在硅中有兩個能級,一個是在離價帶頂0.35eV處的受主能級,另一個是在離導帶底0,狃eV處的施主能級。這兩個能級均靠近硅禁帶的中心,即所謂深能級,它們對電子和空穴的貢獻都很小,

但俘獲空穴或電子的能力強。這類深能級雜質(zhì)在室溫時難以電離,無電活性,是復合中心,具有降低硅中載流子壽命的作用。另外,在硅片制備及產(chǎn)品制作△藝過程中,因沾污,還會有其他雜質(zhì)進入硅晶體中c圖1⒒給出了硅晶體中常見雜質(zhì)的能級和電離能。