硅晶體中的雜質(zhì)主要是有意摻入的Ⅱ、Ⅴ族的硼、磷、砷、銻等。這些雜GD74F245質(zhì)在晶體中一般能替代硅原子,占據(jù)晶格位置,并能在適當(dāng)?shù)臏囟认码婋x生成自由電子或空穴,控制和改變晶體的導(dǎo)電能力。

   通常稱這種已電離、使半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)發(fā)生改變的雜質(zhì)為電活性雜質(zhì)。 在硅晶格格點(diǎn)上若有一個(gè)Ⅴ族原子替代了硅原子,以磷為例,其電離示意圖如圖⒈H所示。磷有5個(gè)價(jià)電子,用11個(gè)價(jià)電子同近鄰的硅形成共價(jià)鍵,還“剩余”一個(gè)價(jià)電子。這個(gè)剩余價(jià)電子只受到磷原子核庫侖勢的吸引,這種吸引作用是相當(dāng)微弱的,只要給這個(gè)剩余價(jià)電子不大的能量就可使它脫離磷原子核的作用,從束縛電子變?yōu)榘子呻娮?從而在晶體內(nèi)運(yùn)動(dòng),成 為導(dǎo)帶電子(即白由電子)。稱這種處于晶格位置又能貢獻(xiàn)電子的雜質(zhì)原子為施主雜質(zhì)。施主雜質(zhì)有向?qū)┓烹娮拥哪芰?而雜質(zhì)本身由于施放電子而帶正電,通常也稱為施主中心。當(dāng)剩余電子被束縛在施主中心時(shí),其能量低于導(dǎo)帶底的能量,相應(yīng)的能級稱為施主能級。施主雜質(zhì)向?qū)п尫烹娮铀?/span>需的最小能量稱為施主電離能。