選擇外延(Sdccthe E泌axl時(shí)Growth,SEG)是指在襯底表面的特定區(qū)域生長外延層,而其他LD2985BM33R區(qū)域不生長外延層的外延工藝。選擇外延最早是用來改進(jìn)集成電路各元件之間的隔離的方法,為了利于接觸孔的平坦化,以及許多重要元件要求在特定區(qū)域進(jìn)行外延而發(fā)展起來的一種I藝技術(shù)。圖⒊14所示是兩種選擇外延方法的示意圖。

   在圖⒊14的(b)中,襯底窗口硅表面外延生長硅是同質(zhì)外延,易于正常生長。而在二氧化硅臺(tái)階上若生長硅則是異質(zhì)外延,且二氧化硅又是非晶態(tài),不易成核生長。所以,落在二氧化硅表面的硅原子大多會(huì)遷移到更易生長的硅單晶窗口區(qū)域。在圖⒊14的(c)中,著外延時(shí)間的延長,二氧化硅表面有可能形成一些小的硅核,但囚二氧化硅是非晶態(tài),形成的多個(gè)小硅核連接成片,就生長成為多晶硅薄膜。