Qn通常位于界面上,電荷密度為10"cm2左右,是由能量處于硅禁帶中、可以與價S9S08DZ60F2MLH帶或導(dǎo)帶方便交換電荷的那些陷阱能級或電荷狀態(tài)引起的。那些陷能級可以是施主或受主,也可以是少數(shù)載流子的產(chǎn)生和復(fù)合中心,包括起源于~Sl/SiO2界面結(jié)構(gòu)缺陷(如硅表面的懸掛鍵)、氧化感生缺陷及金屬雜質(zhì)和輻射等因素引起的其他缺陷。

    通�？赏ㄟ^氧化后在低溫、惰性氣體中退火來降低Qn的濃度。在(100)的硅上進行干氧氧化后,每單位能量L的界面陷阱密度q的值是10"~10⒓/(cm2・eV),而且會隨著氧化溫度的升高而減小。而金屬化后的退火可以把D“的值降低到(3~5)×101・/(cm2・eV)。

   氧化層陷阱電荷

   qt位于s02中和s/Si02界面附近,這種陷阱俘獲電子或空穴后分別帶負(fù)電或正電,電荷密度在10Ⅱ~10"cm2之間。這是由氧化層內(nèi)的雜質(zhì)或不飽和鍵捕捉到加工過程中產(chǎn)生的電子或空穴所引起的。在氧化層中有些缺陷能產(chǎn)生陷阱,如懸掛鍵、界面陷阱變形的⒊―⒊、s―0鍵。氧化層陷阱電荷的產(chǎn)生方式主要有電離輻射和熱電子注人。減少電離輻射陷阱電荷的主要工藝方法有:①選擇適當(dāng)?shù)难趸に嚄l件以改善sO2結(jié)構(gòu),使⒏―O―⒊鍵不易被打破。一般稱之為抗輻照氧化最佳工藝條件,常用1000℃干氧氧化;②在惰性氣體中進行低溫退火(150~400℃)可以減少電離輻射陷阱。