外延圖形的漂移和畸變現(xiàn)象是指在外延生長(zhǎng)之前,硅片表面可能存在凹陷圖形,外延生κ之后, MAX202CSE本該在外延表面相應(yīng)位置出現(xiàn)完全相同的圖形.卻發(fā)生了圖形的水平漂移、畸變,甚至消失的現(xiàn)象,如圖⒊23所示。

   在進(jìn)行外延片鏡檢時(shí),有時(shí)會(huì)觀察到外延圖形的漂移和畸變現(xiàn)象。例如,在雙極型集成電路制作I藝中,若在硅襯底做了掩埋擴(kuò)散,對(duì)應(yīng)于掩埋區(qū)存在凹陷圖形,在這樣的襯底上進(jìn)行外延就可能出現(xiàn)圖形的漂移或畸變現(xiàn)象。i而具體的漂移或畸變現(xiàn)象依賴于襯底取向、摻雜類型、濃度和掩埋擴(kuò)散以及外延的I藝方法、生長(zhǎng)溫度、硅源的選擇等具體情況。圖形漂移和畸變現(xiàn)象的程度通常隨置藝溫度升高而減小,隨外延生長(zhǎng)速率的增大而增大。低壓外延可以減小圖形漂移和畸變現(xiàn)象的程度。襯底晶向對(duì)圖形漂移和畸變現(xiàn)象有著重要影響,(100〉晶向外延,如果襯底硅片沒(méi)有偏離(100)晶面,圖形漂移和畸變程度就較小;〈111〉晶向外延,襯底硅片偏離(111)晶面2°~5°時(shí)影響最小,(111)晶面的外延襯底通常偏離該晶面.