本章概述了外延概念、工藝方KA324DTF法、種類及用途。詳細(xì)介紹了制備硅外延片常用的氣相外延工藝和先進(jìn)的MBE工藝的方法、原理、設(shè)備及技術(shù)。對LPE、SPE等外延方法及先進(jìn)外延技術(shù)發(fā)展趨勢進(jìn)行了簡介。最后介紹了外延缺陷種類、生長機(jī)理及外延層檢測。

   單元習(xí)題一

   1.以直拉法拉制摻硼硅錠,切割后獲硅片,在晶錠頂端切下的硅片,硼濃度為3×1α5catolns/σ′。當(dāng)熔料的∞%已拉出,剩下10%開始生長時(shí),所對應(yīng)的晶錠上的該位置處切下的硅片,硼濃度是多少?

   2,硅熔料含原子百分比的磷為0.1%,假定溶液總是均勻的,計(jì)算當(dāng)晶體拉出原子百分比為10%、50%和90%時(shí)的摻雜濃度。

   3.比較硅單晶錠CZ、MCZ和FZ這3種生長方法的優(yōu)缺點(diǎn)。

   4.直拉硅單晶,晶錠生長過程中摻雜,需要考慮哪些因素會對硅錠雜質(zhì)濃度及均勻性帶來影響?

   5.磁控直拉設(shè)備本質(zhì)上是模仿空間微重力環(huán)境來制備單晶硅的。為什么在空問微重力實(shí)驗(yàn)室能生長出優(yōu)質(zhì)單晶?

   6,硅氣相外延工藝采用的襯底不是準(zhǔn)確的晶向,通常偏離E100彐或E111彐等晶向一個(gè)小角度,為什么?

   7,外延層雜質(zhì)的分布主要受哪幾種囚素影響?

   8.異質(zhì)外延對襯底和外延層有什么要求?

   9,電阻率為⒉ˇ3Ω・cm的ˉ⒏,雜質(zhì)為磷時(shí),5kg硅,需要摻入多少磷雜質(zhì)?

   10.比較分子束外延(MBE)生長硅與氣相外延(VPE)生長硅的優(yōu)缺點(diǎn)。