氧化層錯的顯示方法是將氧化后的硅片用稀HF泡掉氧化層,然后用⒊rtl腐蝕液(100m1'H20+50g ClO3+75mI'HF)或Dash溶液(HF:CH3CoC)H:HN()3=1:13:3)腐蝕約20s即可。經(jīng)腐蝕的硅片放在顯微鏡下就可以看到火柴根式的直線狀缺陷(都沿(110)取向,彐線缺陷的兩端顏色較深)。S9S08AW32E5MFUE氧化層錯等長且均勻分布往往說明拋光質(zhì)蚩不好;若長短不等,則是氧化I藝導(dǎo)致缺陷。如果腐蝕時間較長,就擴大成梯形、甚至成弧形的腐蝕坑。另外,用透鏡電子顯微鏡和X射線形貌法等都可以對氧化層錯進行觀察。

   總而古之,晶體中的缺陷對微電子產(chǎn)品性能和I藝都有很大的影響,因此在單晶制各和芯片制造工藝上如何控制晶體缺陷是一個很重要的課題。從單晶制備來看,目前需要著手解決的是微缺陷的 問題。而從芯片制造工藝來看,為了控制各種工藝誘生缺陷(包括氧化層錯),如何有效地應(yīng)用各種吸除技術(shù)是一個值得重視的問題。